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546672286

金虫 (著名写手)

[求助] 直接带隙和间接带隙的带隙范围

大家好,谁有关于直接带隙和间接带隙的带隙范围?帮忙给我传点,本人十分感谢
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slower

至尊木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

★ ★
感谢参与,应助指数 +1
546672286: 金币+2, 有帮助, 请问宽带隙,窄带隙与禁带宽度有联系? 2013-06-27 11:06:34
能带实际上反映的是电子的波矢k与能量E的关系(主要是第一布里渊区),所谓带隙是导带底和价带顶之间的能量差,当这两个能量点都在波矢k=0的坐标上即为直接带隙,如果这两点对应不同的k值即为间接带隙。具体说怎么划定带隙的范围,不太好说,以前被认为绝缘的宽带隙材料在足够能量的激发下也会具有一点导电性质,如果掺杂的话,导电性会更加明显,所以不好用范围来界定分类。
4楼2013-06-27 09:29:27
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jwucn

至尊木虫 (文坛精英)

【答案】应助回帖

★ ★
感谢参与,应助指数 +1
546672286: 金币+2, 有帮助, 谢谢你,这个我以前看过 2013-06-26 19:33:55
houchenxmc: 回帖置顶 2013-06-27 08:10:31
没有见过这个范围, 一般而言只有1 ev 左右的为半导体, 3ev以上的为绝缘体。。。。。。。。。。。。。。....................................
2楼2013-06-26 19:10:12
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jiagle

专家顾问 (知名作家)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
houchenxmc: 回帖置顶 2013-06-27 08:10:33
houchenxmc: 金币+2 2013-06-27 08:10:45
546672286: 金币+2, 有帮助, 请问宽带隙,窄带隙与禁带宽度有联系? 2013-06-27 11:06:15
直接带隙和间接带隙只是区分电子的跃迁方式。
我的理解是直接带隙是指电子跃迁(从价带到导带的本征跃迁)不禁阻,而间接带隙的电子本征跃迁是禁阻的(但可以通过掺杂而改变)。与带隙(禁带)宽度没有关系。
3楼2013-06-27 07:04:44
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