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求生长晶体的方法。
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| 请问各位高手是否有生长有机物单晶的指导性材料，本人是初接触晶体的菜鸟，请各位多多指导！ |
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4楼2007-10-22 15:25:24
liuzonghua
金虫 (正式写手)
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2楼2007-10-21 17:02:10
zzgyb
荣誉版主 (文坛精英)
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吴老尚(金币+10,VIP+0):谢谢！
吴老尚(金币+10,VIP+0):谢谢！
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推荐你看看1985年Z1期 《人工晶体学报》上的一篇文章 晶体生长方法及其选择 较详细地叙述了晶体生长方法分类的依据和各种分类法 不过现在还有一些新方法。不同的环境有不同的方法，要根据你自己的实验条件选择 简单的说 比如： 溶液中生长晶体，就有一下方法 1.降温法 2.流动法 3.蒸发法 4.凝胶法 5.水热法 ※ 降温法 基本原理：利用物质较大的正溶解度温度系数,在晶体生长过程中逐渐降低温度,使析出的溶质不断在晶体上生长 关键:晶体生长过程中掌握适合的降温速度,使溶液处在亚稳态区内并维持适宜的过饱和度 要求:物质溶解度温度系数不低于 1.5g/kg℃ ※ 流动法(温差法) 优点:将溶液配置,过热处理,单晶生长等操作过程分别在整个装置的不同部位进行,而构成了一个连续的流程,生长大批量的晶体和培养大单晶并不受晶体溶解度和溶液体积的限制. ※ 蒸发法 基本原理:将溶剂不断蒸发,使溶液保持在过饱和状态,从而使晶体不断生长. 特点:比较适合于溶解度较大而溶解温度系数很小或者是具有负温度系数的物质.与流动法一样也是在恒温条件下进行的. ※ 凝胶法 基本原理:以凝胶作为扩散和支持介质,使一些在溶液中进行的化学反应通过凝胶扩散,缓慢进行. 优点:适于生长溶解度十分小的难溶物质的晶体. 缺点:在溶液凝胶界面附近浓度剃度较大,容易形成较多的晶核,堵塞扩散路径 ※ 水热法 基本原理:利用高温高压的水溶液使那些在大气条件下不溶或难溶于水的物质通过溶解或反映生成该物质的溶解产物,并达到一定的过饱和度而进行结晶和生长的方法. 特点:适于生长熔点很高,具有包晶反映或非同成分熔化而在常温常压下又不溶于各种溶剂或溶解后即分解,且不能再结晶的晶体材料. |
3楼2007-10-21 17:22:48
呵呵 还是这么多 5楼2007-10-22 17:38:48
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