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ljl118新虫 (初入文坛)
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[求助]
不知道如何回答评审专家的问题
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事情经过是这样的：在给国外某期刊投了一篇论文，内容有关应用第一性原理解释Ag掺杂TiO2能级变化。 我们的计算结果如下图所示。我们解释为Ag掺杂，在TiO2带间产生数条杂质能级，价带顶上移，使得的TiO2能级出现变化。但是，评审专家提出一个意见却使得我们不知如何回答，特求助于各位大侠帮助！谢谢！ 以下是专家意见： Reviewers' comments: Reviewer #2: The discussion of the bandstructures of the pristine and Ag-doped TiO2 are still misleading because the supercell approximation does not give absolute energy levels with respect to the vacuum level. Therefore the energy zeroes in Figs. 1a and 1b are arbitrary and cannot be compared. The discussion should not based on these arbitrary energy scales but the energy zero should be defined, as is usual in the first-principles modeling literature, as the top of the valence band.  2.JPG |
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刚刚编译了个for 32bit Windows的，在XP系统上跑），就建立2x2x2的Si的Primitive Cell的超胞，然后再在中心搀杂点N啊B啊的，肯定高对称点是不变的~
7楼2013-06-25 13:38:35
franch
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3楼2013-06-25 02:30:28
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【答案】应助回帖
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感谢参与，应助指数 +1
liliangfang: 金币+2, 应助指数+1, 谢谢指教 2013-06-29 14:45:09
感谢参与，应助指数 +1
liliangfang: 金币+2, 应助指数+1, 谢谢指教 2013-06-29 14:45:09
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你图1(a)里面标的E_f 2.41 eV，没有必要标出数值，可能你是把它定在了带隙中间（这个原则上可以的）。标出了数值，反而会引起误解。同样1(b)里面标出E_f的值也是没有必要的,而且它的位置似乎不对。它的位置应该在doped level的上面。 你的图1(b)里标识的Eg值从占有的缺陷能级至导带底算起，这个是错误的。这个只是表明了Ag dopant的n-type掺杂的能级离到导带底的距离。TiO2的带隙，还是需从原来的价带顶至导带底。 建议多看文献。 |
4楼2013-06-25 07:43:58
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