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risktaker111金虫 (正式写手)
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N2中的N1s 峰位
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N2中的N1s 峰位 最近做氮掺杂化合物，谁知道来自N2中的N1s 峰位，谁看过类似的峰位文献，找了很多的文献，没有合适的，推荐一下，谢谢！要的是N2中的N1s 峰位，不是NO等中的N1s，注意了！哈哈 |
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risktaker111: 金币+5, 博学EPI+1, ★★★很有帮助 2013-06-18 14:48:45
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三个N1s峰，其中结合能为401．5 eV的峰一般认为是在膜沉积过程中N2分子重新形成并被膜表面捕获造成的. 参见： 偏压对空心阴极放电等离子体溅射制备氮化碳薄膜的影响 http://file.lw23.com/5/5e/5e2/5e ... c6-3fe793f39785.pdf |
2楼2013-06-18 05:40:54
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risktaker111: 金币+5, ★有帮助 2013-06-18 14:48:59
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399. 7 eV 处的氮则是N-N 键中的氮原子 多弧离子镀TiN 与不同金属基材间的接触界面与表面特性 .......对N1s 的XPS 峰进行分解, 分别在396. 0、397. 0 和399. 7 eV 处出现三个分峰, 其中397. 0 eV 的氮峰来自T iN 中的氮原子，399. 7 eV 处的氮则是N- N 键中的氮原子，而396.0 eV 处的氮比起T iN 中的N 原子。 http://dspace.xmu.edu.cn/dspace/ ... 0%A7.pdf?sequence=1 |
3楼2013-06-18 05:45:31
