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lzn_t

木虫 (小有名气)

[求助] 请教:间隙位掺杂原子与格点原子间成键吗?

比如:在Si单晶中掺入某一杂质原子A(间隙位),这时有两方面考虑:1)间隙位杂质原子A周围的Si原子已经与其他Si原子形成4个共价键,键位饱和,无须再与A原子成键;2)A-Si间距明显小于Si-Si间距,因此A-Si间作用更强,更易形成价键。
在此向大家请教,间隙位A原子与邻近格点Si原子之间是否成键呢?
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DarkArchon

铁虫 (初入文坛)

引用回帖:
4楼: Originally posted by lzn_t at 2013-06-11 20:58:20
你说的很有道理。让我疑惑的是,在用MS建模型时,在硅的单晶胞中加入这个间隙原子A后,由于A原子与Si原子距离较近,这时在Build|Bond下点击Calculate就会在A与周围的Si间出现很多键位。这时,是否需要将这些键都删 ...

你说的软件我没有使用过,但是我感觉通过设置原子半径,你可以看到那些键也可以看不到。如果原子靠的比较近,可视化软件总是会产生一些键,当然也取决于covalent factor(比如xcrysden 中可以设置这个参数)。所以不必纠结有没有键,要看结构优化的结果。当然,你要确保你的间隙原子的初始位置合理。
5楼2013-06-11 22:09:34
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Physicser

木虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
franch: 金币+2, 谢谢回帖交流。。 2013-06-10 20:10:30
lzn_t: 金币+2 2013-06-11 20:58:45
看这个文献
NATURE |VOL 423 | 5 JUNE 2003
Universal alignment of hydrogen levels in semiconductors insulators and solutions
2楼2013-06-10 09:39:11
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DarkArchon

铁虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
lzn_t: 金币+3 2013-06-11 20:58:50
我认为这时候不应该以化学上成键的概念来考虑这个问题,而应该从物理上电子间相互作用这个角度考虑。尽管Si原子的价电子已经s-p3 杂化饱和,但是它的价电子肯定会与A原子的价电子相互作用,有一定的杂化。这样意味着Si-Si键就受到影响。 你画DOS出来看应该能发现一些东西。
3楼2013-06-11 14:59:11
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lzn_t

木虫 (小有名气)

引用回帖:
3楼: Originally posted by DarkArchon at 2013-06-11 14:59:11
我认为这时候不应该以化学上成键的概念来考虑这个问题,而应该从物理上电子间相互作用这个角度考虑。尽管Si原子的价电子已经s-p3 杂化饱和,但是它的价电子肯定会与A原子的价电子相互作用,有一定的杂化。这样意味着 ...

你说的很有道理。让我疑惑的是,在用MS建模型时,在硅的单晶胞中加入这个间隙原子A后,由于A原子与Si原子距离较近,这时在Build|Bond下点击Calculate就会在A与周围的Si间出现很多键位。这时,是否需要将这些键都删去?
4楼2013-06-11 20:58:20
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