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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 化学化工区 » 无机/物化 » 物理化学 » 碳化硅形成的吉布斯自由能
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zgsdzblg

金虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

引用回帖:
10楼: Originally posted by 觉然2013 at 2013-06-08 15:31:44
非常感谢，那你能不能帮我算一下在600K，15GPa下，反应多大吗。。是不是特别麻烦啊。...

600K下反应C（c 金刚石）+Si(c)=SiC(cubic相) 的标准反应自由能为
-72.7KJ/mol
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11楼2013-06-08 20:12:49
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觉然2013

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
11楼: Originally posted by zgsdzblg at 2013-06-08 20:12:49
600K下反应C（c 金刚石）+Si(c)=SiC(cubic相) 的标准反应自由能为
-72.7KJ/mol...

哦，相差不是很大啊。。。那应力对自由能的影响要从哪一方面考虑呢。。。望请指教。。。真心感谢啊。
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12楼2013-06-08 20:40:37
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zgsdzblg

金虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

引用回帖:
12楼: Originally posted by 觉然2013 at 2013-06-08 20:40:37
哦，相差不是很大啊。。。那应力对自由能的影响要从哪一方面考虑呢。。。望请指教。。。真心感谢啊。...

压力对反应吉布斯自由能的影响也有公式啊，这里不好详细说啊 有空QQ聊
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13楼2013-06-09 13:15:27
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sealff

木虫 (小有名气)
引用回帖:
6楼: Originally posted by 觉然2013 at 2013-06-08 14:04:19
Si+C—SiC
SiO2+C—SiC+CO
对于这两条路线生成碳化硅，在一定温度和应力下，我想判断哪种路线有利于SIC的生成。。。能不能达到这个目标啊。...

能够大概估计，但是不能写在文章里，只是一个估计发生的反应
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14楼2013-06-09 16:06:06
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