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我的芝麻木虫 (小有名气)
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用BOE腐蚀氧化硅，如何降低边缘粗糙度？
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用BOE腐蚀氧化硅，如何降低边缘粗糙度？ 氧化层厚度11um，正性光刻胶AZ5214做掩摸，胶厚约2um，用的BOE是5:1的，腐蚀时间2小时，所得腐蚀边缘有很多沟壑和凹坑；另外，试验7um厚的4620胶，出现半圆形缺陷。请各位帮忙分析下这些都是什么原因造成的？该如何避免？新虫发帖，金币不多，望前辈们给予鼓励  5214-1.jpg  5214-2.jpg  5214-3.jpg  4620.jpg  5214-4.jpg  5214-5.jpg [ Last edited by 我的芝麻 on 2013-6-3 at 11:04 ] |
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yswyx 
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我的芝麻(yanhualover代发): 金币+10, 代发金币。谢谢指导。 2013-06-05 14:47:36
我的芝麻(yanhualover代发): 金币+10, 代发金币。谢谢指导。 2013-06-05 14:47:36
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5214－2所表现出来的应该是光刻胶本身裂开和光刻胶本身有缺陷的情况。 4620的图貌似你已经去胶了，所以没办法分析到底是胶的图形问题还是，腐蚀或者SiO的问题。多半是4620光刻出来的图形问题。 总体来说，你腐蚀的整体效果应该说是不错的，侧向腐蚀少，线条平滑。其它图中有缺陷的地方，要考虑SiO层本身的特性了。 你用的是什么方法做的SiO？无论是热氧还是PECVD，存在缺陷和不均匀都是很正常的，那些地方腐蚀不净可能是缺陷和不均匀造成的。这么厚的SiO，最好是干刻。 |
2楼2013-06-03 18:03:08
我的芝麻
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3楼2013-06-04 20:15:37
yswyx
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这么厚的氧化层腐蚀，很难达到你想要的平滑结构的。材料缺陷是无法避免的，光刻缺陷也是无法避免的，你只能采用对缺陷不敏感的工艺手段才是合适的。 其它光刻胶，也会类似的效果，不会有什么大差别的。 你看5214-3这张图，明显的光刻胶层有一个微小的折线，这个折线处应该是做掩模版的拼接误差，这个折线导致了底下腐蚀出现差异。像这种情况，湿法腐蚀就会把缺陷放大，而干法刻蚀相对要好很多。 5214-1，很像是原来光刻胶层在那个位置表面上有一个很大的类似水滴痕迹的沾污，然后通过腐蚀传递了下去。 其实除去这些缺陷，你的图形整体上是很漂亮的，尤其是-2和－3两个图。你下次光刻的时候，查一下光刻完的片子，多拍一些有缺陷的地方的照片，腐蚀后做一个对比。 |
4楼2013-06-05 14:12:19
gzl9901
铁杆木虫 (文坛精英)
very good
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Happy everyday 5楼2013-06-05 15:12:09
