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求问计算半导体导带价带位置的经验公式已有5人参与
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很多文献里都提到使用以下公式来进行半导体导带价带的位置的计算 E(CB) = X - Ec - 1/2Eg E(CB) is the conduction band edge of a semiconductor at the point of zero charge X is the absolute electronegativity of the semiconductor, expressed as the geometric mean of the absolute electronegativity of the constituent atoms, which is defined as the arithmetic mean of the atomic electron affinity and the first ionization energy Ec is the energy of free electrons on the hydrogen scale (~4.5 eV) Eg is the band gap of the semiconductor. 请问大家一下 这其中的X, absolute electronegativity值是如何获得的？ 是否可以通过元素电负性来计算得到？或者是在某个数据库中获得？ 还有就是 同个化学组成但是不同相态的物质 它们的这个X值是否有差别？ 类似于锐钛矿的TiO2与金红石相的TiO2，它们的X值是否是一样的呢？ 看了很多文献，都是直接给出了X值，找不到具体的数据来源，一直很疑惑这个公式的可靠性，所以特此向各位虫友求教！ 感激不尽！！！ |
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楼主憋了两天 终于找文献找出来了 参考书目： 《环境光催化材料与光催化净化技术》P59 蔡伟民 龙明策 上海交通大学出版社： “ X 是半导体氧化物的绝对电负性 是构成化合物的各原子绝对电负性（又称为Mulliken电负性）的几何平均值，而元素的绝对电负性定义为该元素电子亲合能和第一离解能的算术平均值。例如，对于TiO2，Ti元素的电子亲合能和第一离解能分别为6.82eV和0.079eV，则两者均值绝对电负性为3.45eV，同样计算氧的绝对电负性为7.54eV，最后得到TiO2的绝对电负性为： X(TiO2) = [X(Ti)*X(O)*X(O)]^(1/3) = (3.45*7.54*7.54)^1/3 = 5.81 eV 若以TiO2带隙为3.2eV 带入可估算出导带底位置为： E(CB)= X-Ec-0.5Eg=5.81-4.5-0.5*3.2 = -0.3 eV ” 元素的绝对电负性可以在以下网址查到 “Pearson Absolute Electronegativity” http://www.knowledgedoor.com/2/e ... ctronegativity.html 通过几何平均值的计算 获得化合物的绝对电负性X 然后 就可以进行导带价带位置的计算啦！！！ |
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幸为白衣卿相5楼2013-05-16 22:43:48
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楼主真是很好很强大
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