| 查看: 14858 | 回复: 52 | |||
| 当前只显示满足指定条件的回帖,点击这里查看本话题的所有回帖 | |||
[交流]
关于几何必需位错和统计存储位错密度的交流与讨论
|
|||
| 看文献上说,几何必需位错是由分均匀变形引起的,其主要分布在晶界区域和受限制的边界区域,而统计存储位错主要分布在晶内。有一个问题就是如何计算几何必须位错密度和统计存储位错密度。是通过整个样品界面内几何必需位错和统计存储位错除以截面面积获得,还是通过几何必需位错除以晶界和受限制区域面积和统计存储位错除以晶内面积获得??还是??? |
» 猜你喜欢
Polymers 期刊特刊 组稿
已经有101人回复
免费提供下载外文文献书籍
已经有0人回复
冶金与矿业论文润色/翻译怎么收费?
已经有126人回复
2027陕西省科技项目合作征集
已经有0人回复
上海交大材料学院拟招27年高分子/电化学等生物材料方向普博生1-2名
已经有5人回复
上海交大材料学院拟招生27年有机高分子/电学/组织工程等生物材料方向博士生1-2名
已经有7人回复
上海交大材料学院拟招生27年有机高分子/电学/组织工程等生物材料方向博士生1-2名
已经有7人回复
HRTEM/原位TEM/HRSTEM检测|价格优·周期短·可加急
已经有0人回复
大家平时也可以交流下
已经有1人回复
» 本主题相关价值贴推荐,对您同样有帮助:
有关位错密度的测量!
已经有12人回复
XRD方法分析位错密度
已经有14人回复
位错密度与温度的关系
已经有9人回复
金属(无氧铜)的位错密度怎么测
已经有21人回复
金属材料的硬度和位错之间有何关系
已经有18人回复
【求助】XRD分析-如何计算位错密度.
已经有20人回复
40楼2018-07-10 16:06:29
6楼2013-05-05 16:08:51
简单回复
秋之落叶9楼
2013-05-06 00:23
回复
wcjhit(金币+1): 谢谢参与











回复此楼

200