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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 材料综合 » 材料其他 » 关于几何必需位错和统计存储位错密度的交流与讨论
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wcjhit

木虫 (正式写手)

[交流] 关于几何必需位错和统计存储位错密度的交流与讨论

看文献上说，几何必需位错是由分均匀变形引起的，其主要分布在晶界区域和受限制的边界区域，而统计存储位错主要分布在晶内。有一个问题就是如何计算几何必须位错密度和统计存储位错密度。是通过整个样品界面内几何必需位错和统计存储位错除以截面面积获得，还是通过几何必需位错除以晶界和受限制区域面积和统计存储位错除以晶内面积获得？？还是？？？
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1楼 2013-05-05 15:01:41
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青山柳是

新虫 (初入文坛)
Experimental lower bounds on geometrically necessary dislocation density

发自小木虫IOS客户端
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40楼2018-07-10 16:06:29
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xiedt

金虫 (著名写手)
★
wcjhit(金币+1): 谢谢参与
祝福，祝福，祝福，祝一切顺利，科研成果累累！
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6楼2013-05-05 16:08:51
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秋之落叶9楼
2013-05-06 00:23   回复  
wcjhit(金币+1): 谢谢参与
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