8楼: Originally posted by whlnncrystal at 2013-05-30 09:29:26
Eg=hc/λ=6.63X10^-34*3*10^8/λ*10^-9*1.6*10^-19≈1243.125/λ,这个λ就是你要的吸收带边，Eg是半导体块的能隙（CdSe为1.78eV），但是对于CdSe纳米晶来说由于量子限域只能从吸收峰位看，但是你的量子点好像是浑浊 ...

8楼: Originally posted by whlnncrystal at 2013-05-30 09:29:26
Eg=hc/λ=6.63X10^-34*3*10^8/λ*10^-9*1.6*10^-19≈1243.125/λ,这个λ就是你要的吸收带边，Eg是半导体块的能隙（CdSe为1.78eV），但是对于CdSe纳米晶来说由于量子限域只能从吸收峰位看，但是你的量子点好像是浑浊 ...

12楼: Originally posted by wangdanyu at 2013-05-30 15:23:16
这个图能看吗？最右边突然上升的那个点吗？

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...

13楼: Originally posted by whlnncrystal at 2013-05-30 16:20:02
这里拐点就是了...

10楼: Originally posted by wangdanyu at 2013-05-30 15:12:07
水相合成啊！...

13楼: Originally posted by whlnncrystal at 2013-05-30 16:20:02
这里拐点就是了...

14楼: Originally posted by wangdanyu at 2013-05-31 09:15:40
那我不清楚量子点浑浊是什么意思啊？...

17楼: Originally posted by whlnncrystal at 2013-06-01 14:17:36
你有电镜照片吗？确定你的量子点是单分散的吗？不是单分散的状态你的紫外光谱没任何意义...