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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 量子化学 » Gaussian » 电子自旋密度对自由基反应的影响
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hongjianga

新虫 (小有名气)

[求助] 电子自旋密度对自由基反应的影响

请教大家一个问题，高斯优化一个结构得到的电子自旋密度有正有负，如果是一个羟基自由基与这个结构发生加成反应，羟基自由基更容易结合到正的地方还是负的地方？？
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1楼 2013-04-03 23:51:24
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hongjianga

新虫 (小有名气)
引用回帖:
5楼: Originally posted by sobereva at 2013-04-04 14:13:59
应当计算福井函数F0来考察自由基进攻位点。静电势只对亲电，以及部分情况的亲核进攻才有意义。

你好！电子自旋密度与自由基进攻的位置没有关系吗？我不太清楚一般看自由基进攻的电位主要考虑什么因素。
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6楼2013-04-04 16:40:11
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yongleli

木虫 (正式写手)
Why don't you look at the electrostatic potential distribution?
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2楼2013-04-04 01:04:36
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hongjianga

新虫 (小有名气)
引用回帖:
2楼: Originally posted by yongleli at 2013-04-04 01:04:36
Why don't you look at the electrostatic potential distribution?

不应该看电子自旋密度吗？
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3楼2013-04-04 08:38:54
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hongjianga

新虫 (小有名气)
引用回帖:
2楼: Originally posted by yongleli at 2013-04-04 01:04:36
Why don't you look at the electrostatic potential distribution?

自由基反应不应该看静电势吧？
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4楼2013-04-04 10:31:49
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