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babeface918铜虫 (初入文坛)
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[求助]
关于晶格失配，急求！！！
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晶格失配度高达80%左右的材料能否用外延法生长在一起？ 同种材料不同晶面之间，80%的失配度理论上能否取向生长在同一个面上？ 还有，什么叫晶格失配释放？？ 提的问题可能有点小白，完全不是半导体外延生长这块的，对于晶格失配完全外行。但是现在急求这方面的信息，请大神帮忙解答！感激不尽！！！！ |
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babeface918
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本内容由用户自主发布，如果其内容涉及到知识产权问题，其责任在于用户本人，如对版权有异议，请联系邮箱：xiaomuchong@tal.com - 附件 1 : 半导体外延层晶格失配度的计算_何菊生.pdf
2013-06-06 12:52:12, 218.26 K
» 本帖已获得的红花（最新10朵）
10楼2013-06-06 12:54:04
avgon
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【答案】应助回帖
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babeface918: 金币+30 2013-04-03 11:24:55
lijunjie84: 金币+1, 辛苦了！ 2013-04-03 18:32:59
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babeface918: 金币+30 2013-04-03 11:24:55
lijunjie84: 金币+1, 辛苦了！ 2013-04-03 18:32:59
| 生长在一起肯定是没问题了，但是会在生长界面产生较大的应力，因此外延生长出来的薄膜的晶体质量会较差，但随着生长厚度的增加，后来生长出来的薄膜的质量会渐渐变好，因为前期生长的材料会不断充当缓冲层，这样晶格失配对于后期长出的材料来说就因为前面的缓冲作用而产生晶格失配减缓或者说释放的效果。当然晶格失配小的材料之间也未必就能生长出晶体质量很好的膜，还要看实验条件中的生长参数。所以基底选择固然重要，但对于生长过程中可能有影响的各个参数的把握也都很重要。 |
2楼2013-04-02 18:57:09
babeface918
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4楼2013-04-03 11:23:16
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5楼2013-04-03 16:01:13
