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杂化泛函求大家帮助
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刚开始接触杂化泛函计算带隙，自己也查了一些东西，有点疑问请教大家，先感谢。 我先列一下计算硅能带的步骤，希望大家给看一下: 1先正常结构优化，GGA-PBE； 2.将CONTCAR 转为POSCAR，INCAR中去掉离子步做静态计算，得CHGCAR 3.将CHGCAR 文件拷过来，设置ICHGCAR=11，LWAVE=.TURE.，IBRION=-1，设置杂化泛函参数： LHFCALC = .TRUE. HFSCREEN = 0.2 (To conform with the HSE06 functional you need to select (HFSCREEN=0.2)) ALGO = Damped TIME = 0.4 ENCUTFOCK = 0 AEXX=? 4.BAND计算； 拷贝上一步的WAVECAR，然后设置新的KPOINTS，计算即可。 关于以上步骤，大侠们帮忙看下有没有不妥的地方，另外有个小白问题，就是HSE00.HSE03，HSE06有什么区别么，是不是指AEXX的比列不同啊？ 希望大家踊跃讨论下杂化泛函，你理解的杂化泛函，谢谢各位。 |
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liliangfang
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10566824012楼2013-04-28 16:46:53
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http://muchong.com/bbs/viewthread.php?tid=3613684 仅供参考，至于参数可参照vasp说明书，03 06 有一点不同，说明书上面有介绍 |
2楼2013-03-22 15:42:16
3楼2013-03-22 20:32:02
liliangfang
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4楼2013-03-23 09:26:40
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