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Nature系列期刊Scientific Reports报道了无定形碳化硅（SiC)转化为石墨烯的新方法
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近期，Scientific Reports（科学报告）刊发了武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室燃料电池研究团队木士春教授在无定形碳化硅(SiC)转化为石墨烯方面的创新性研究成果，论文题目为Direct Transformation of Amorphous Silicon Carbide into Graphene under Low Temperatures and Ambient Pressure。 研究报告中，作者采用成本低廉的无定形SiC(a-Si1-xCx)取代昂贵的晶体SiC作为石墨烯的前驱体，结合成熟的氯化技术(chlorination)，首次提出了一种通过无定形SiC氯化法合成石墨烯的新方法。采用该方法，在较低温度（800℃）、常压条件下即可快速地实现无定形SiC向石墨烯的转化。在高分辨透射电子显微镜（HRTEM）下可观测到通过无定形SiC-氯化法合成的石墨烯层数在10层以内，继承了SiC外延生长法层数少的优点。拉曼光谱（Raman）下可以检测到明显红移的2D峰，证明了氯化法合成的石墨烯具有较好的层数可控性。此外，作者还探讨了无定形SiC的石墨烯转化机制，提出了一种无定形SiC转化为石墨烯的氯刻蚀晶化模型。因此，该方法具有大规模生产石墨烯及在任意基底上大面积合成层数可控石墨烯的巨大应用前景。 附：研究论文在线浏览和全文免费下载地址 http://www.nature.com/srep/2013/ ... full/srep01148.html （在线浏览） http://www.nature.com/srep/2013/ ... 8/pdf/srep01148.pdf （PDF版全文免费下载） |
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tangbohejin10楼
2013-03-05 10:20
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mushichun(金币+1): 谢谢参与
