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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 学术讨论 » 关于看关于AAO制备的文献中遇到的问题
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muxinzi

银虫 (小有名气)

[交流] 关于看关于AAO制备的文献中遇到的问题

刚开始接触AAO的制备问题，在看文献的过程中遇到一些问题，希望能得到解答。 1.通过二次阳极氧化的方法制备纳米多孔阳极氧化铝，第一次阳极氧化处理后的腐蚀氧化层，我看的一篇文献中这样写道：The formed aluminium oxide was removed by chemical etching in a mixture of  6 wt.% H3PO4and 1.8 wt.% H2CrO4 at 60◦C. The duration of oxide removal was 10 min for a range of anodizing potential
between 15 and 19 V. For the higher cell potential than 19 V the duration of oxide removal was extended to 15 min.
哪位大虾可以解释一下为什么化学腐蚀的方法里还要加电压？还是说一次氧化层的腐蚀就是应该加电压的？因为只有改篇文献提到这个方面，我表示很费解。
2. 6 wt.% H3PO4and 1.8 wt.% H2CrO4，配比是怎样的？所有文献中只提到量不同质量分数的酸，却没有比例啊
3.还有就是电解抛光后要用去离子水清洗么？
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1楼 2013-03-01 11:45:49
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上木科技

新虫 (正式写手)
同意14楼答案

[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
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15楼2013-04-24 23:07:29
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liushumn

木虫 (小有名气)
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muxinzi: 金币+1 2013-06-20 09:07:28
1 化学腐蚀并且加电压 应该是为了加速氧化膜的溶解吧 该文献只用了十分钟溶解时间。一般正常的两步法中第一步的氧化时间一般在十几个小时以上，溶解第一层氧化膜时通常都仅仅只是化学腐蚀，你这个我也是第一次看到。
2 我通常配比该溶膜液时，一般都是使用个大概的范围，没有那么具体过。像楼主提到的溶液配比，应该是整个溶膜液中含有质量分数为6%纯H3PO4, 1.8%纯H2CrO4。
3 抛光后应该用大量的自来水将表面的高氯酸冲洗掉，然后用去离子水细心冲洗。
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12楼2013-03-06 09:48:06
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arthurwang1

银虫 (初入文坛)
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muxinzi: 金币+1 2013-06-20 09:07:59
我感觉所加电压不是指的去除氧化膜时的电压，而是anodizing potential，就是阳极氧化电压而已，所说时间不一样就是说对于氧化电压不一样，所需相同条件下的腐蚀时间也不一样，而且所加电压越高，所需的腐蚀时间越长，他的理由也许是电压越高，氧化膜的生长速率要更快，所以去除时间要延长才能更彻底。

另外确实有一篇Jacs利用电解，不只是去除氧化膜，更牛B的是竟然获得了氧化铝通孔。 Zhao, S.; Roberge, H.; Yelon, A.; Veres, T. J. Am. Chem. Soc. 2006, 128, 12352–12353.

看的不是很多，略知一二。见笑
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13楼2013-03-06 21:28:44
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fhpku

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muxinzi: 金币+1 2013-06-20 09:05:20
1，原文是说对15-19伏电压下氧化得到的薄膜溶解10分钟，19伏以上的增加到15分钟。根据俺的经验，时间再长点也没什么
2，6%磷酸，1。8铬酸，剩下是水
3，一般要洗
看了本贴，想起刚上研究生的时候每天做AAO的时光，呵呵。年轻人加油吧。
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14楼2013-03-07 21:55:50
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