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haohaowind

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[求助] 石墨烯场效应管（GFET）氧化层电容是算顶栅的还是算背栅的？

石墨烯场效应管（GFET）氧化层电容是算顶栅的还是算背栅的？请问计算GFET中石墨烯迁移率时，公式里有一项是氧化层的电容Cox，请问Cox是底栅介质SiO2的电容还是顶栅介质的电容？

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1楼2013-01-08 08:22:22

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haohaowind

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引用回帖:

5楼: Originally posted by jtamour828 at 2013-01-09 12:02:46
最好是把结构图给我们看看。公式里的电容是源漏电极和栅极之间的绝缘层的电容。顶接触和底接触是依据源漏电极与半导体的接触方式不同而划分的。要是再加上栅极的话，应该有四种结构。

你好，我做的是双栅结构，既有顶栅电极又有背栅电极。你的意思是我在背栅电极上加压Cox就是背栅介质（SiO2）的电容，若我在顶栅上加压，Cox就是指顶栅介质（Al2O3）的电容，请问是这样吗？