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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 学术讨论 » 石墨烯场效应管（GFET）氧化层电容是算顶栅的还是算背栅的？
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haohaowind

木虫 (小有名气)

[求助] 石墨烯场效应管（GFET）氧化层电容是算顶栅的还是算背栅的？

石墨烯场效应管（GFET）氧化层电容是算顶栅的还是算背栅的？请问计算GFET中石墨烯迁移率时，公式里有一项是氧化层的电容Cox，请问Cox是底栅介质SiO2的电容还是顶栅介质的电容？
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1楼2013-01-08 08:22:22
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haohaowind

木虫 (小有名气)
引用回帖:
2楼: Originally posted by sgquan at 2013-01-08 09:52:04
没大明白你的问题，你是用石墨烯层做沟道还是做栅极？你说的氧化层是指什么，是硅片上的SiO2层吗？还是你用别的绝缘层？

石墨烯做沟道的，下面是SiO2，上面是Al2O3，请问你计算迁移率时用什么公式？我用的公式里面有一项是Cox，我就不清楚这个Cox指的是什么？
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3楼2013-01-08 14:27:38
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sgquan

铁杆木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
没大明白你的问题，你是用石墨烯层做沟道还是做栅极？你说的氧化层是指什么，是硅片上的SiO2层吗？还是你用别的绝缘层？
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2楼2013-01-08 09:52:04
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sgquan

铁杆木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

Cox应该是绝缘层的电容，如果你的栅极是在Al2O3上面，那么Cox就是Al2O3的电容了，如果栅极是SiO2下面的硅的话，那么Cox就是SiO2的电容了。
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4楼2013-01-08 15:00:12
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jtamour828

金虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
最好是把结构图给我们看看。公式里的电容是源漏电极和栅极之间的绝缘层的电容。顶接触和底接触是依据源漏电极与半导体的接触方式不同而划分的。要是再加上栅极的话，应该有四种结构。
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功到自然成
5楼2013-01-09 12:02:46
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