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hhxxa

金虫 (正式写手)

[求助] CV求的电容为什么比EIS求的电容要高 已有1人参与

CV在2mV/s下的比电容比EIS在0.01Hz下的比电容要高出一些。怎么解释好。CV是利用积分面积求得,EIS电容是利用公式-1/2πfZ'm求得
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hhxxa

金虫 (正式写手)

引用回帖:
4楼: Originally posted by yongdan.h at 2012-11-12 19:23:02
首先要确定你的实验体系,并不是所有的体系都能直接从阻抗的虚部直接求得电容,一般的传统求电容的方法和等效电路有关。
用CV求电容,不知道你的扫描区间是在什么范围内,有没有法拉第反应的出现,如果有的话,CV是 ...

是不是可以说用阻抗那个公式算电容得是理想电容才行,像碳电极这种就有偏差
8楼2012-11-13 14:54:46
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查看全部 16 个回答

hw_zhong

铁杆木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
首先必须承认EIS做出的电容比较准确,但是它不是很容易做好和做漂亮。CV扫出来的曲线很容易偏离理想的矩形,里面很有可能包含法拉第电流。一般来说你用单点的频率算出电容是可以的,但是电极一般表面不均匀,电荷分布也不均匀,容易发生弥散效率,单点频率算出来的误差大,一般采用全频线性拟合算出电容。
2楼2012-11-12 11:17:41
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nktornado

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
很多人说起EIS求电容的这个公式。
只能说只有rc串联电路适用于此公式,因为rc串联电路的实部就是r。虚部是-1/wc。
如果是其他电路,事实上不怎么适用,而且你用0.01hz来算,不合适。
应该再100Hz以上的频率点来计算
3楼2012-11-12 17:17:33
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yongdan.h

木虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
首先要确定你的实验体系,并不是所有的体系都能直接从阻抗的虚部直接求得电容,一般的传统求电容的方法和等效电路有关。
用CV求电容,不知道你的扫描区间是在什么范围内,有没有法拉第反应的出现,如果有的话,CV是个连续过程,而阻抗的,你是用固定电位,然后扫频率的么?如果是的话,这是一个不连续的过程。
这种方法求出的电容值,本身就会有不同的。
而且,阻抗求电容,传统的讲法就有CPE的行为,就是电容离散。实际上它是阻抗测定过程中的伴随弊端,其中有内阻。

不好意思罗列了很多,总的意思是,分析起来要看具体情况。
No pain no gain
4楼2012-11-12 19:23:02
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