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小丫聪聪

金虫 (小有名气)

引用回帖:
2楼: Originally posted by SCU_magiclee at 2012-11-08 15:41:08
本征带隙发光峰所对应的能量(ev)和带隙宽度差不多。表面态是缺陷发光,能量小于带隙宽度。

我想请问一下该理论有具体的文献支持吗?谢谢,比较急,希望您能给我帮助
11楼2014-09-02 22:00:25
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小丫聪聪

金虫 (小有名气)

引用回帖:
4楼: Originally posted by SCU_magiclee at 2012-11-08 20:47:11
吸收谱可以通过吸收边大致判断带宽,也可以建立ahv和hv为坐标的曲线,具体还要考虑是直接带隙半导体还是间接带隙半导体,有两个公式。

发光谱?你是说photoluminescence吧?就看发光峰对应的能量啊,比如500nm的 ...

如果这个能量和带隙宽度差不多就是本征发光,如果低于带隙宽度的能量就是缺陷发光。
关于这个理论,有具体的文献支持吗?
如果能告诉我,将万分感激
12楼2014-09-02 22:27:27
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小丫聪聪

金虫 (小有名气)

引用回帖:
4楼: Originally posted by SCU_magiclee at 2012-11-08 20:47:11
吸收谱可以通过吸收边大致判断带宽,也可以建立ahv和hv为坐标的曲线,具体还要考虑是直接带隙半导体还是间接带隙半导体,有两个公式。

发光谱?你是说photoluminescence吧?就看发光峰对应的能量啊,比如500nm的 ...

我是新手,还不太会用小木虫,不好意思怕您收不到,我可能发了很多遍。
比如500nm的峰就对应1240/500=2.48ev的光子,如果这个能量和带隙宽度差不多就是本征发光,如果低于带隙宽度的能量就是缺陷发光-----关于这个结论您有具体的文献支持吗?有的话请告诉我好吗!万分感激!
13楼2014-09-02 22:31:30
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SCU_magiclee

铁杆木虫 (正式写手)

硅材料研发人员

引用回帖:
13楼: Originally posted by 小丫聪聪 at 2014-09-02 22:31:30
我是新手,还不太会用小木虫,不好意思怕您收不到,我可能发了很多遍。
比如500nm的峰就对应1240/500=2.48ev的光子,如果这个能量和带隙宽度差不多就是本征发光,如果低于带隙宽度的能量就是缺陷发光----- ...

你具体是什么材料啊?我试试看给你找找文献
是金子总会发光!!!
14楼2014-09-02 23:00:09
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