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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 功能材料 » 半导体 » 如何判断半导体是本征带隙发光还是表面态发光？
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小丫聪聪

金虫 (小有名气)
引用回帖:
2楼: Originally posted by SCU_magiclee at 2012-11-08 15:41:08
本征带隙发光峰所对应的能量（ev）和带隙宽度差不多。表面态是缺陷发光，能量小于带隙宽度。

我想请问一下该理论有具体的文献支持吗？谢谢，比较急，希望您能给我帮助
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11楼2014-09-02 22:00:25
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小丫聪聪

金虫 (小有名气)
引用回帖:
4楼: Originally posted by SCU_magiclee at 2012-11-08 20:47:11
吸收谱可以通过吸收边大致判断带宽，也可以建立ahv和hv为坐标的曲线，具体还要考虑是直接带隙半导体还是间接带隙半导体，有两个公式。

发光谱？你是说photoluminescence吧？就看发光峰对应的能量啊，比如500nm的 ...

如果这个能量和带隙宽度差不多就是本征发光，如果低于带隙宽度的能量就是缺陷发光。
关于这个理论，有具体的文献支持吗？
如果能告诉我，将万分感激
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12楼2014-09-02 22:27:27
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小丫聪聪

金虫 (小有名气)
引用回帖:
4楼: Originally posted by SCU_magiclee at 2012-11-08 20:47:11
吸收谱可以通过吸收边大致判断带宽，也可以建立ahv和hv为坐标的曲线，具体还要考虑是直接带隙半导体还是间接带隙半导体，有两个公式。

发光谱？你是说photoluminescence吧？就看发光峰对应的能量啊，比如500nm的 ...

我是新手，还不太会用小木虫，不好意思怕您收不到，我可能发了很多遍。
比如500nm的峰就对应1240/500=2.48ev的光子，如果这个能量和带隙宽度差不多就是本征发光，如果低于带隙宽度的能量就是缺陷发光-----关于这个结论您有具体的文献支持吗？有的话请告诉我好吗！万分感激！
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13楼2014-09-02 22:31:30
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SCU_magiclee

铁杆木虫 (正式写手)

硅材料研发人员
引用回帖:
13楼: Originally posted by 小丫聪聪 at 2014-09-02 22:31:30
我是新手，还不太会用小木虫，不好意思怕您收不到，我可能发了很多遍。
比如500nm的峰就对应1240/500=2.48ev的光子，如果这个能量和带隙宽度差不多就是本征发光，如果低于带隙宽度的能量就是缺陷发光----- ...

你具体是什么材料啊？我试试看给你找找文献
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是金子总会发光！！！
14楼2014-09-02 23:00:09
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