应《网络安全法》要求，自2017年10月1日起，未进行实名认证将不得使用互联网跟帖服务。为保障您的帐号能够正常使用，请尽快对帐号进行手机号验证，感谢您的理解与支持！

24小时热门版块排行榜    

小木虫论坛-学术科研互动平台 » 化学化工区 » 电化学 » 电化基础 » 关于semiconductor electrochemisty 和 photo-cyclic voltammograms
121/2返回列表12下一页
查看: 1215  |  回复: 11
只看楼主 @他人 存档 新回复提醒 (忽略) 收藏    在APP中查看

inkul

金虫 (小有名气)

[求助] 关于semiconductor electrochemisty 和 photo-cyclic voltammograms

本人对半导体电化学实在了解不多 希望有懂得人能指导下

下面第一张图是在含有Ge4+的溶液中的CVs，工作电极式Pt
第二张图是第三圈的CVs，也可以认为工作电极上已完全经覆盖了Ge

从这两幅图是否能看出电镀的Ge有photoactivity？是否能判断Ge是那种类型的半导体？
如果是n-type的话，会有positive photocurrent，negative current基本不变，但是从CV上可以明显看到negative current的增大。
如果是p-type的话，情况相反，但是CV上又可以看到positive current的增大。

还有什么信息可以从图上获得？

我对这方面实在是不懂，如果上面说有错误希望大家能指出并且不吝赐教
谢谢大家啦~

CV01.jpg



CV02.jpg
回复此楼

» 猜你喜欢
1楼 2012-10-04 17:23:31
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

1039312195
2楼2012-10-04 19:34:00
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

inkul

金虫 (小有名气)
up
3楼2012-10-05 16:00:26
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

inkul

金虫 (小有名气)
引用回帖:
2楼: Originally posted by 1039312195 at 2012-10-04 12:34:00

谢谢支持。。。
回复此楼
4楼2012-10-05 20:21:12
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

inkul

金虫 (小有名气)
为什么没有人回复我呢~是不是我哪里没说清楚呀。。。
赞一下 回复此楼
5楼2012-10-05 20:21:49
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

jiazang

至尊木虫 (著名写手)

刁民

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
photoactivity是显而易见了
具体是p是n，这里很难看出
赞一下 回复此楼
科学：半导体电荷传输和界面电荷转移理论基础和研究方法；技术：污水处理、废酸回用、氢气纯化；工程：光催化反应工程和反应器
6楼2012-10-06 10:14:05
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

inkul

金虫 (小有名气)
引用回帖:
6楼: Originally posted by jiazang at 2012-10-06 03:14:05
photoactivity是显而易见了
具体是p是n，这里很难看出

谢谢回帖
如果是intrinsic semiconductor，一般在光照和黑暗的情况下CV会是怎样的呢？
还有我是否可以从photo-conductivity的方面来解释，说是电导率增加 所以电流密度增大？

谢谢啦~~
赞一下 回复此楼
7楼2012-10-06 20:54:18
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

Jackcd12

至尊木虫 (知名作家)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
冲着你的重赏，也来凑个热闹 ！  
      你这个实验看似很简单，实际上涉及的知识很多，包括电化学，半导体电化学和半导体光电化学，涉及的过程也很多，因而影响结果的因素也就多了。最关键的是光照过程中光生载流子的复合和分离过程，影响光生电流的主要因素有溶液成分，半导体能带结构，半导体膜空间电荷层的结构（颗粒膜与块材的光电性质可能完全不一样），外加扫描电位的范围等。因此，这里就只能对你观察到的表观现象作一推测。
    由于你是通过电沉积方法制备的Ge膜，这种膜是由Ge微粒构成（不像块体），当光照射在这种颗粒膜上时，每个Ge微粒都可以吸收光子，产生电子空穴对，每个微粒就可以同时表现出N 型和P型半导体性质，具体表现出那种性质，取决于电极反应使其中一种电荷（电子，空穴）向电解质中迁移的速度与载流子复合速度的相当快慢，以及外电场的强弱（影响光生载流子的分离）。
1. 从两个I-V图看，样品有光响应，但并能判断膜的半导体类型，也不能表明电极表面全部被Ge粒子覆盖。
2. 如你所说，如果是N-type，应该有光阳极电流，但你的两个I-V图上的阳极电流虽然都比没有光照时的电流稍大，但阴极电流更大。正常情况下，如果是N-type半导体,在溶液中没有O2的情况下，在你这个电位扫描范围内，只有阳极电流，基本上没有阴极电流（或很小）。因此，你的I-V图不能说明半导体的类型。
3. 两个图中的阴极电流总是大于阳极电流，很可能是溶液中存在的O2优先俘获光生电子的原因。
   伏安法是一种定性的判断半导体类型的方法，更常用也比较准确的方法是Mott-Schottky 电容-电位曲线法，而且，你现在的方法很难判断电极表面是否已被Ge所完全覆盖。因此，建议你考虑先使用交流阻抗法，然后，摸清条件后，最后再用伏安法。
赞一下 回复此楼
Themoreamanlearns,themoreheknowshisignorance!
8楼2012-10-06 21:45:06
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

jiazang

至尊木虫 (著名写手)

刁民

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
inkul: 金币+20, ★★★很有帮助 2012-10-07 16:31:09
引用回帖:
7楼: Originally posted by inkul at 2012-10-06 20:54:18
谢谢回帖
如果是intrinsic semiconductor，一般在光照和黑暗的情况下CV会是怎样的呢？
还有我是否可以从photo-conductivity的方面来解释，说是电导率增加 所以电流密度增大？

谢谢啦~~...

如为本征半导体，也要看你的具体体系以及CV的扫描范围。
如果还是你这里的体系，主要现象也还是电量增大。

光导是存在的。而且很多人大多情况下都采用电导率来说明电流变化，在概念上是不恰当的。
受光之后，载荷子浓度增大，电导率增大是事实；但是对于半导体光电化学体系而言，对电流变化主要贡献是电荷浓度的变化，而非电导率的变化（虽然电荷浓度和电导率有关系）。
赞一下 回复此楼
科学：半导体电荷传输和界面电荷转移理论基础和研究方法；技术：污水处理、废酸回用、氢气纯化；工程：光催化反应工程和反应器
9楼2012-10-06 23:07:01
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

刘伟利

木虫 (文坛精英)
祝福楼主
回复此楼
10楼2012-10-07 08:15:14
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖
相关版块跳转 我要订阅楼主 inkul 的主题更新
121/2返回列表12下一页
普通表情 龙 兔 虎 猫
信息提示
关闭
请填处理意见
关闭