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cenwanglai

荣誉版主 (知名作家)

老和山猥琐派九段

优秀版主

[求助] 金属氧化物簇是否需要加氢饱和边界?

杨金龙老师的石墨条带模型用氢原子来饱和边界,这样做的合理性和必要性在哪里呢?有人解释是为了保持边界上C也是sp2杂化的状况(http://muchong.com/bbs/viewthread.php?tid=4302791)。但是需要注意到,石墨烯中每个C原子还有一个2p电子在pie键上,而用来饱和的边界H原子时没有这样的pie电子的。这种偏差如何理解?

我们在做金属氧化物的slab模型的时候,表面没有拿任何东西来饱和。slab面向真空一面的部分,为什么可以不考虑加H饱和?比如CeO2(111)。是不是因为其体相O和Ce配位数分别为4和8,在O-terminated的(111)面上,O和Ce配位数分别为3和7.变化本来就很小,完全不用H来饱和?

注意到大连化物所李微雪他们science上的文章FeOx/Pt复合催化剂,其模型就是Pt(111)上附着单层FeOx条带,其边界上并没有用H来饱和。

那么,是不是说,远离体相特性的金属氧化物模型,比如二维单层膜,三维纳米粒子,二维片或无限长的条带,边界是否需要饱和要看其实际存在的状态?

在研究金属氧化物簇的时候,如果是从金属氧化物块体中截取若干金属原子和氧原子来,是否需要添加H来饱和边界?

说一个模型是合理的,怎么来判断?

金属氧化物簇或其他低维模型方面,希望提供参考文献以供学习~


@fegg7502
@spur

[ Last edited by cenwanglai on 2012-8-17 at 22:50 ]
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farfaraway08

铜虫 (著名写手)

引用回帖:
10楼: Originally posted by fegg7502 at 2012-09-25 12:08:28
原则上说是对的,但是你要是加烷基的话,相邻烷基的排斥力估计会很大,
从计算简易度来看,直接加H估计比较合理,...

恩,谢谢您,我试试看先。
11楼2012-09-25 15:41:44
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huangll99

木虫 (职业作家)

★ ★ ★
fzx2008: 金币+3, 谢谢回帖! 2012-08-17 16:59:15
我认为加H饱和的原因是表面有未成对的电子,加赝H可以和表面的悬挂键形成体相的成键,这样表面就不会有能隙态了,然后就可以只关注其他的方面。但是加H钝化只适合共价晶体,因为共价晶体的表面的悬挂键上有未成对的电子,而离子晶体没有。举例来说,Ga-rich 的GaAs表面(理想的),Ga的悬挂键上有3/4个电子,那么就可以用有5/4个电子的赝H来钝化。在举例来说,研究HfO2的表面时,O终结的底面可以只留一半的O,就能做出一个绝缘的表面。是否合理的标准我认为可以做PDOS,看看钝化之后的表面是否会在BULK-LIKE 部分的能隙里存在表面态。
--以上纯属个人理解,如有错误,概不负责
2楼2012-08-17 16:14:40
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cenwanglai

荣誉版主 (知名作家)

老和山猥琐派九段

优秀版主

引用回帖:
2楼: Originally posted by huangll99 at 2012-08-17 16:14:40
我认为加H饱和的原因是表面有未成对的电子,加赝H可以和表面的悬挂键形成体相的成键,这样表面就不会有能隙态了,然后就可以只关注其他的方面。但是加H钝化只适合共价晶体,因为共价晶体的表面的悬挂键上有未成对的 ...

谢谢回复~

请选择 【应助】,一笔那给你金币表示感谢~

有用赝H来钝化的例子吗?
3楼2012-08-17 16:19:18
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huangll99

木虫 (职业作家)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
fzx2008: 金币+2, 谢谢分享 2012-08-17 16:58:11
cenwanglai: 金币+10, ★★★很有帮助, 非常感谢你的帮助~ 2012-08-17 17:03:22
http://g.zhubajie.com/urllink.php?id=12713033xek5m47nyp7g269k
这个应该是最早提出来用赝H来饱和底面悬挂键的论文了,共价晶体用赝H来钝化表面悬挂键的例子很多的
4楼2012-08-17 16:43:17
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