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氧化钒热敏薄膜电阻问题
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QUEDEGE
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氧化钒热敏薄膜电阻问题
我是用反应磁控溅射法制备VOx薄膜的,想问一下做VOx热敏薄膜的同学们,大家做出的膜的电阻大概是多少,退火处理后阻止的变化趋势,我做出的薄膜退火空气气氛退火30分钟阻值下降了两个数量级,这正常么,阻值降低的主要原因是什么
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2012-08-04 11:31:03
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QUEDEGE
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5楼
:
Originally posted by
aslanchen
at 2012-08-07 21:41:14
为何要XPS, XRD 就可以基本确定物象了...
做XPS为了看薄膜中钒的价态,做XRD的话有的晶粒太小或者含量太少看不太出来
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6楼
2012-08-07 23:45:08
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2012-08-06 07:34:22
你是想做VO2吧,VO2 在室温的电阻的确很大,
你在空气中退火30min,VOx会被氧化吧?
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2楼
2012-08-05 23:56:28
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2楼
:
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aslanchen
at 2012-08-05 23:56:28
你是想做VO2吧,VO2 在室温的电阻的确很大,
你在空气中退火30min,VOx会被氧化吧?
我不要求VO2含量有多高,只要有高的TCR就行了,只是纠结于为什么退火后电阻下降那么厉害,就算氧化成五氧化二钒也不至于下降两个数量级啊
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3楼
2012-08-06 19:15:33
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★
有帮助, 哎 好吧 可是XPS精度不够啊
2012-08-07 20:51:46
我觉得要搞清楚为什么,你就要知道退火前后的VOx到底都是什么物质,VOX物质太多,不知道是谁,就不好说了
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4楼
2012-08-06 22:16:36
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