| 查看: 497 | 回复: 2 | |||
| 【奖励】 本帖被评价2次，作者michoogle增加金币 1.5 个 | |||
| 当前主题已经存档。 | |||
[资源]
【转载】非极性GaN LED性能获重要突破
|
|||
|
2007年5月1日，加州大学圣巴巴拉分校（UCSB）非极性GaN材料研究小组（由中村修二[Shuji Nakamura]和Steven DenBaars 领导）制造的蓝紫光InGaN LED在高工作电流下创输出功率新高，且同时具有41%的外量子效率（EQE）。 由UCSB研究小组制备的多量子阱结构LED，工作于20mA时的输出功率为28mW，峰值波长为402nm，EQE相当于45.4%。具有决定意义的是，该器件在更高电流时仍能保持高转换效率（200mA时，输出功率为250mW），在电流密度由1 A/cm2上升到350 A/cm2 时，外量子效率仅有稍微的下降。 在m平面上生长晶体结构以开发非极性GaN，一直以来都被视为可使LED和激光器的性能获得阶段性提高的方法之一。但直到现在，基于非极性GaN 的芯片无论在转换效率还是输出功率方面都落在传统结构的后面。而此次非极性GaN的性能能够有长足进步则要归功于m面GaN衬底（由日本三菱化学提供）的发展。这一基板材料是通过对使用HVPE法生长出的C面GaN进行切片得来的。 尽管已获得重大突破，UCSB研究小组称非极性GaN的性能还有提高的余地。在最新的研究成果中，人们通过标准处理工艺制备LED芯片，并使用ITO透明电极，这预示着外量子效率还有提高的潜力。 但非极性器件若要真正实现商业化，仍须面临许多技术挑战，极高质量的m面GaN衬底即是障碍之一。UCSB小组使用的m面GaN衬底仅为1平方厘米，与普通使用的直径2英寸的衬底材料形成鲜明对比，如用生产级MOCVD设备进行制备，m面GaN衬底的尺寸太小也太昂贵了。 |
回复此楼» 收录本帖的淘帖专辑推荐
 晶体分析学习 |
» 猜你喜欢
谈谈两天一夜的“延安行”
已经有6人回复
-
博士申请都是内定的吗？
已经有12人回复
-
氨基封端PDMS和HDI反应快速固化
已经有11人回复
-
之前让一硕士生水了7个发明专利，现在这7个获批发明专利的维护费可从哪儿支出哈？
已经有11人回复
-
论文投稿求助
已经有4人回复
-
Applied Surface Science 这个期刊。有哪位虫友投过的能把word模板发给我参考一下嘛
已经有3人回复
-
投稿精细化工
已经有6人回复
» 本主题相关商家推荐: (我也要在这里推广)
