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[求助]
求助 谁帮我解释一下XPS结合能和XAS吸收边的关系
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| 如标题说的,我想知道XPS测试出来的结合能和对应的X-ray吸收边能量之间有什么样的关系？ 比如同一个氧化物进行XPS和XAS测试的时候OK边吸收边和O1s结合能两者之间有什么样的对应关系？ 跟哪些因素有关？ |
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 cwx-同步辐射-XAFS | 看中的 |
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3楼2012-07-05 08:31:46
valenhou001
至尊木虫 (职业作家)
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【答案】应助回帖
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感谢参与，应助指数 +1
xueht987: 金币+3, 专家考核, 谢谢回帖，鼓励交流！ 2012-07-05 08:54:16
emin8000: 金币+10, ★★★很有帮助 2012-07-09 11:09:03
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emin8000: 金币+10, ★★★很有帮助 2012-07-09 11:09:03
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xps谱测出来的 芯能级结合能，从最初的定义来讲，它是将芯电子激发到真空能级的能量。但是在实际的实验中，测出来的是芯电子被激发到费米能级处。 x-xay吸收边的能量，是芯电子被激发到未占据态，且谱线幅度开始为有限大小的哪个未占据态。因此它并不一定是对应芯电子被激发到最低未占据态的能量。 xps谱测出来的芯能级结合能与x-xay吸收谱的带边能量值没有很严格的对应关系。 可以这样看，xps谱测的是芯电子激发到一个特定的状态(真空能级或费米能级，根据不同的说法，是实验还是最初的定义)，而x-ray吸收谱测的是芯电子激发到未占据态(从Fermi level以上，有很多的占据态)。前者只能给出芯电子激发的能量，而后者除测出激发能量还有吸附强度。 K-edge--->对应着 1s电子的激发。 1s 芯电子的结合能与化学环境有关。 我的这篇文章的其中一小部分对掺杂在石墨烯中的氮的1s能级结合能以及x-ray吸收谱的模拟进行了讨论。可能对你理解有关O 1s芯能级结合能、x-ray吸收谱上带边之间的关系有帮助。 Electronic Structures of N-doped Graphene with Native Point Defects http://arxiv.org/abs/1205.6575 |
2楼2012-07-05 08:15:32
4楼2012-07-09 11:09:28
5楼2014-02-12 20:04:22
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