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交流阻抗低频扩散控制斜率意义
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[交流]
交流阻抗低频扩散控制斜率意义
做锂离子电池在不同放电态下的交流阻抗。swagelok cell,分别从4V 放到 3V 中做若干EIS,没放电1h,relax 30min达到平衡电压。阻抗100KHz 到5mHz,扰动5mV。
高频所有曲线重合,说明 电荷转移过程阻抗一样,但低频扩散控制过程斜率完全不同。
请问,这个斜率说明了什么?怎样通过这个扩散阻抗求扩散系数。
等效电路 -Rs+Rct//Q1+Q2-
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2012-06-25 20:44:53
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2012-06-26 22:45:27
lianglei: 金币+3, 很有用
2012-06-26 22:45:42
seagrove: 金币+3, 感谢应助
2012-06-26 22:58:31
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2012-06-26 21:34:13
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Originally posted by
iorijim
at 2012-06-26 14:34:13
斜率为1时,代表了韦伯斯特阻抗。
至于具体的求解D的过程,稍稍有点复杂。
求D过程:由Z’’与1/(√w)的关系式:
Z’’= σ/(√w)+2σ*σCd,当w趋向于无穷时,Z’’与1/(√w)一定是通过原点的直线,即此直线的截 ...
C需不需要根据不同state of charge下Li数目不同而改变?
我根据这个公式求了,但值比我用CV,GITT(10^-14)求得小很多(10^-17),不知道怎么回事。
我的材料是晶胞体积182A^3,一个晶胞2个锂,所以C应该是0.0182mol/cm3吧?帮我检查一下?w=f/2Pi,没错吧。
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2012-06-26 22:43:27
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iorijim
at 2012-06-26 14:34:13
斜率为1时,代表了韦伯斯特阻抗。
至于具体的求解D的过程,稍稍有点复杂。
求D过程:由Z’’与1/(√w)的关系式:
Z’’= σ/(√w)+2σ*σCd,当w趋向于无穷时,Z’’与1/(√w)一定是通过原点的直线,即此直线的截 ...
C需不需要根据不同state of charge下Li数目不同而改变?
我根据这个公式求了,但值比我用CV,GITT(10^-14)求得小很多(10^-17),不知道怎么回事。
我的材料是晶胞体积182A^3,一个晶胞2个锂,所以C应该是0.0182mol/cm3吧?帮我检查一下?w=f/2Pi,没错吧。
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at 2012-06-26 14:34:13
斜率为1时,代表了韦伯斯特阻抗。
至于具体的求解D的过程,稍稍有点复杂。
求D过程:由Z’’与1/(√w)的关系式:
Z’’= σ/(√w)+2σ*σCd,当w趋向于无穷时,Z’’与1/(√w)一定是通过原点的直线,即此直线的截 ...
C需不需要根据不同state of charge下Li数目不同而改变?
我根据这个公式求了,但值比我用CV,GITT(10^-14)求得小很多(10^-17),不知道怎么回事。
我的材料是晶胞体积182A^3,一个晶胞2个锂,所以C应该是0.0182mol/cm3吧?帮我检查一下?w=f/2Pi,没错吧。
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斜率为1时,代表了韦伯斯特阻抗。
至于具体的求解D的过程,稍稍有点复杂。
求D过程:由Z’’与1/(√w)的关系式:
Z’’= σ/(√w)+2σ*σCd,当w趋向于无穷时,Z’’与1/(√w)一定是通过原点的直线,即此直线的截 ...
C需不需要根据不同state of charge下Li数目不同而改变?
我根据这个公式求了,但值比我用CV,GITT(10^-14)求得小很多(10^-17),不知道怎么回事。
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斜率为1时,代表了韦伯斯特阻抗。
至于具体的求解D的过程,稍稍有点复杂。
求D过程:由Z’’与1/(√w)的关系式:
Z’’= σ/(√w)+2σ*σCd,当w趋向于无穷时,Z’’与1/(√w)一定是通过原点的直线,即此直线的截 ...
C需不需要根据不同state of charge下Li数目不同而改变?
我根据这个公式求了,但值比我用CV,GITT(10^-14)求得小很多(10^-17),不知道怎么回事。
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iorijim
at 2012-06-26 21:34:13
斜率为1时,代表了韦伯斯特阻抗。
至于具体的求解D的过程,稍稍有点复杂。
求D过程:由Z’’与1/(√w)的关系式:
Z’’= σ/(√w)+2σ*σCd,当w趋向于无穷时,Z’’与1/(√w)一定是通过原点的直线,即此直线的截 ...
这个时候求得的扩散系数D只能为表观扩散系数,实际不能代表材料的扩散系数。前几天参加CIBF还和某教授讨论了一下这个问题
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8楼
2012-06-27 10:33:25
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lianglei
at 2012-06-26 22:43:27
C需不需要根据不同state of charge下Li数目不同而改变?
我根据这个公式求了,但值比我用CV,GITT(10^-14)求得小很多(10^-17),不知道怎么回事。
我的材料是晶胞体积182A^3,一个晶胞2个锂,所以C应该是0.01 ...
C 需要根据Li数目不同而变的,你计算的数值上没有问题,就是数量级的问题,请统一下单位,没有单位无法估计数量级啊
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9楼
2012-06-27 10:54:00
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2012-06-27 17:17:54
做过几种材料的扩散系数,当时EIS测的准确度不高,可能是平行电芯不一致或者方法的缺陷,用恒流放电或者充电的方法还可以,结果比较平行
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10楼
2012-06-27 11:01:10
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shlsong
at 2012-06-27 03:33:25
这个时候求得的扩散系数D只能为表观扩散系数,实际不能代表材料的扩散系数。前几天参加CIBF还和某教授讨论了一下这个问题...
能否解释一下表观和实际的区别呢?CV求得的也是表观吧?是否代表热力学观点上的扩散系数?
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11楼
2012-06-27 15:51:23
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iorijim
at 2012-06-27 03:54:00
C 需要根据Li数目不同而变的,你计算的数值上没有问题,就是数量级的问题,请统一下单位,没有单位无法估计数量级啊...
单位我都是用cm的,检查过也没有错,EIS法有没有一说——理论上会得到偏小的值?
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12楼
2012-06-27 15:52:20
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echovia3368
at 2012-06-27 04:01:10
做过几种材料的扩散系数,当时EIS测的准确度不高,可能是平行电芯不一致或者方法的缺陷,用恒流放电或者充电的方法还可以,结果比较平行
我不是很明白:扩散过程应该只和工作电极一侧有关吧?我用的半电池?不知道可能产生什么误差
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13楼
2012-06-27 15:53:42
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2012-06-27 17:41:02
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lianglei
at 2012-06-27 15:51:23
能否解释一下表观和实际的区别呢?CV求得的也是表观吧?是否代表热力学观点上的扩散系数?...
因为我们用的电极一般属于多孔电极的范畴,不属于薄层平板电极,而对于多孔电极,利用GITT、PITT、EIS、CV等方法求得的扩散系数,应该叫做表观扩散系数。
想准确测得材料的扩散系数,最好的办法是制作毛细管电极,做到单颗粒的电化学测试,或者尽量把电极涂层涂薄一些,这样比较接近实际的扩散系数。
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14楼
2012-06-27 16:14:18
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2012-06-27 17:18:18
GITT、PITT 这两个比较准确!……EIS的确会偏小,有文献是这么说的!……
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15楼
2012-06-27 17:13:38
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蜗牛梦
at 2012-06-27 10:13:38
GITT、PITT 这两个比较准确!……EIS的确会偏小,有文献是这么说的!……
能提供一下文献吗?我就是需要这个解释,怎么个偏小
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16楼
2012-06-27 17:40:31
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shlsong
at 2012-06-27 09:14:18
因为我们用的电极一般属于多孔电极的范畴,不属于薄层平板电极,而对于多孔电极,利用GITT、PITT、EIS、CV等方法求得的扩散系数,应该叫做表观扩散系数。
想准确测得材料的扩散系数,最好的办法是制作毛细管电极, ...
但是我用的是swagelok粉末电极,不是涂布的极片电极。我觉得如果假设颗粒粒径均一,锂离子在个个颗粒的扩散一致,可以近似为但颗粒测试吧?因为这种测试,电解液与活性物质接触应该是非常良好的,不像涂布的极片有孔隙率限制。
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17楼
2012-06-27 17:43:22
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2012-06-28 15:47:03
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lianglei
at 2012-06-27 15:53:42
我不是很明白:扩散过程应该只和工作电极一侧有关吧?我用的半电池?不知道可能产生什么误差...
严格来说,材料的晶体结构等确定后其扩散系数就确定了,扩散系数随着嵌锂数的改变而改变;一旦制成电极,电池的表观扩散系数就和工作电极、对电极、电解液等都有关系,关键看哪个是速控步骤,对扩散系数产生什么样的影响。
所以你这个结果看不出是误差,因为只有一个电池,多做几个,把各个电压下的结果比较。
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18楼
2012-06-28 08:44:49
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echovia3368
at 2012-06-28 08:44:49
严格来说,材料的晶体结构等确定后其扩散系数就确定了,扩散系数随着嵌锂数的改变而改变;一旦制成电极,电池的表观扩散系数就和工作电极、对电极、电解液等都有关系,关键看哪个是速控步骤,对扩散系数产生什么样 ...
同意这个观点,得多做几个电池,看重现性怎么样
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19楼
2012-06-28 09:11:36
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20楼
2012-09-26 23:45:22
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只能求出表观扩散系数。你只需要将实部或者虚部电阻与
作图,所得到直线的斜率即为表观离子扩散系数。
[
Last edited by dcqxinyang on 2012-9-27 at 08:39
]
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21楼
2012-09-27 08:36:57
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2013-02-20 10:13:06
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