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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » Vasp&MedeA » 关于TiO2掺杂DOS图的问题
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初学者vasp

铜虫 (小有名气)

[交流] 关于TiO2掺杂DOS图的问题

本人菜鸟，正在做TiO2掺杂计算，发现做出来的DOS图与文献中相差较大，TiO2带隙中本该出现的杂质态却没有出现，师哥师姐们帮帮看看哪里出错了！
P.S
DOS计算的INCAR文件

SYSTEM = TiO2-anatase
ENCUT = 400
ISTART = 1 ; ICHARG = 11
ISMEAR = -5
RWIGS = 0.900 1.217 1.487  
PREC = Accurate
LWAVE = .FALSE.
NPAR = 1
VOSKOWN = 1
GGA = 91
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1楼 2012-04-30 12:59:43
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mengfc

金虫 (正式写手)
★
初学者vasp(金币+1): 谢谢参与
RWIGS = 0.900 1.217 1.487  
这一行的数据怎么来的？
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3楼2012-04-30 16:22:15
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初学者vasp

铜虫 (小有名气)
怎么没有人理我，帮帮忙么！

[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
赞一下 回复此楼
2楼2012-04-30 16:12:37
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六198

金虫 (正式写手)
★ ★
初学者vasp(金币+1): 谢谢参与
御剑江湖: 金币+1, 谢谢~~~ 2012-04-30 21:44:04
看INCAR好像没什么问题，你再提供点其他的信息，如POSCAR以及计算时候的stdout。
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4楼2012-04-30 16:42:30
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rxd337

木虫 (正式写手)
★ ★ ★
初学者vasp(金币+1): 谢谢参与
zzy870720z: 金币+2, 谢谢指教 2012-04-30 18:37:10
个人觉着最好将SIGMA取小一点如0.01来算DOS，让各种小峰显示出来。Ef附近应该有各种小峰的，可能是杂质峰造成。TiO2应该是绝缘体，不掺杂的体系的Ef是在带隙中间位置的，而你的掺杂体系Ef在导带底附近，这就是有掺杂造成的，类似于N型半导体掺杂体系的情况。
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5楼2012-04-30 18:15:47
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