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makuna

木虫 (正式写手)

[求助] nanowire transistor output曲线无法分开,请牛人帮助

做了些纳米线,然后加工成transistor
采用bottom gate- bottom contact方式
drain-source 电极有120nm厚

得出如附件中的曲线

因本人刚入行,组里无人做此方向。这种实验,我尝试了上千次,但始终无法得到linear和饱和曲线。不知其中出了什么问题,望各位牛人帮助。
万分感谢
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  • 附件 1 : Device-assemblyOutput.jpg
  • 2012-04-30 12:02:40, 408.71 K

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哈哈nano我来了
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quanten

金虫 (著名写手)

QQ群(NW-FET): 157220400


【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
考虑漏电流,请告知氧化层厚度
4楼2012-04-30 18:53:35
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dyq1123

新虫 (初入文坛)

分不开的原因主要是Gate 电容太小,可以尝试用高K材料
作为绝缘栅,或减少绝缘层厚度,最好是做TOP-gate FETs
效果会很好。

» 本帖已获得的红花(最新10朵)

2楼2012-04-30 17:43:07
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makuna

木虫 (正式写手)

送鲜花一朵
引用回帖:
2楼: Originally posted by dyq1123 at 2012-04-30 17:43:07:
分不开的原因主要是Gate 电容太小,可以尝试用高K材料
作为绝缘栅,或减少绝缘层厚度,最好是做TOP-gate FETs
效果会很好。

谢谢,我尝试过不同的dielectric layer:100nm, 300nm,500nm SiO2
但曲线始终如附件那样。 top gate FETs 比较难在nanowire上加工dielectric layer
哈哈nano我来了
3楼2012-04-30 18:51:07
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makuna

木虫 (正式写手)

引用回帖:
4楼: Originally posted by quanten at 2012-04-30 18:53:35:
考虑漏电流,请告知氧化层厚度

dielectric layer: 100nm 300nm 500nm
这三个厚度dielectric layer都试过
哈哈nano我来了
5楼2012-04-30 20:30:58
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