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xw2008

铜虫 (小有名气)

[求助] 用CASTEP优化结构的同时计算出的带隙值,比算能量时算出的带隙值大好多?

请教大家:在用MS的CASTEP模块做计算,我优化结构的同时计算出的带隙值,比算能量时算出的带隙值大好多?为什么?
  LDA+U ,截止能:550eV,K点(3*3*3)。晶格常数跟实验室相比误差小,相符合。
优化结构的同时计算出的带隙值:2.449eV     接近实验值。
然后算单点能时再次算出算出的带隙值 1.669eV。
两次计算那个更合理?大家平时都是怎样算带隙值的?
请大家帮忙分析下。谢谢!
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Zpffpz

铁杆木虫 (职业作家)

金属小光头

优秀版主

引用回帖:
6楼: Originally posted by lq6865387 at 2012-04-29 22:50:52:
先 geometry optimization 然后 properties  计算性质

计算能带结构态密度电学性能时选energy,还是properties?

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努力向前
8楼2012-04-30 22:23:25
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xueht987

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
fzx2008: 金币+2, 谢谢指教 2012-04-29 13:38:22
xw2008: 金币+3, ★★★很有帮助, 谢谢帮助 2012-04-29 14:11:45
一般的的LDA和GGA晶格优化会导致晶格膨胀、低估带隙,这都是正常的。对于你的问题毫无疑问应该采用优化的结果。
2楼2012-04-29 13:33:11
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xw2008

铜虫 (小有名气)

我看到:有的人优化结构时,同时勾选能带态密度的计算。也有人优化完了才算能带和态密度。
第一次:我优化结构的同时计算出的带隙值为2.449eV ,
第二次:优化完成后,在计算单点能时,勾选能带,算出的带隙值 1.669eV。
第三次:打开优化后的胞,calculation properties时,勾选上能带和态密度。此结果刚也出来,也是:2.449eV。
三次的设置精度和参数相同。
以前差不多,但是这次不会判断。这三次就怎样才对呢?为什么?
3楼2012-04-29 14:22:16
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frank_zhan

金虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
liliangfang: 金币+1, 谢谢指教 2012-04-29 17:12:17
xw2008: 金币+3, ★★★很有帮助, 谢谢你的帮助 2012-04-29 19:02:22
结构优化时只选择Gamma点,但是计算能量时选得K点却会密集一些,所以结果有偏差是正常的。但是应该要先做结构优化,然后再去计算其他的性质。
frank_zhan,zy2zhan@gmail.com
4楼2012-04-29 15:08:09
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