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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 功能材料 » 新能源材料 » ZnO中光生电子的迁移速率与光生空穴迁移速率有差异吗？
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bihan

银虫 (初入文坛)

[交流] ZnO中光生电子的迁移速率与光生空穴迁移速率有差异吗？

ZnO中光生电子的迁移速率与光生空穴迁移速率有差异吗？如果有差异，那是哪个快？
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1楼 2012-03-17 13:58:22
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飛乐果兒

金虫 (初入文坛)
★
bihan(金币+1): 谢谢参与
qiqiqiqi: , 鼓励积极回贴 2012-04-05 09:15:45
可以参考刘恩科的《半导体物理学》，虽然有可能不是专讲氧化锌的，但是相关半导体材料的基础知识是很全面的。我曾经上传过电子版的全书，你可以看看，对这个方向的研究很有指导性作用。
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8楼2012-04-01 11:13:53
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huxilun

木虫 (正式写手)
★
bihan(金币+1): 谢谢参与
qiqiqiqi: 回帖置顶 2012-03-18 12:03:13
空穴跟电子是两回事，两者的速率应该是不一样的，因为两者的扩散系数不同。空穴的扩散系数一般比电子的小
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2楼2012-03-17 20:43:25
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bihan

银虫 (初入文坛)
引用回帖:
2楼: Originally posted by huxilun at 2012-03-17 20:43:25:
空穴跟电子是两回事，两者的速率应该是不一样的，因为两者的扩散系数不同。空穴的扩散系数一般比电子的小

有没有相关的参考文献或者书籍呢？我也觉得应该是不一样的，但没找到依据。
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3楼2012-03-17 21:40:27
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huxilun

木虫 (正式写手)
引用回帖:
3楼: Originally posted by bihan at 2012-03-17 21:40:27:
有没有相关的参考文献或者书籍呢？我也觉得应该是不一样的，但没找到依据。

我以前从文献上粗略的看到过涉及这方面的，但是都好长时间了，发个求助贴等待高手解答吧，呵呵
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4楼2012-03-17 23:29:15
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