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ZnO中光生电子的迁移速率与光生空穴迁移速率有差异吗?
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bihan
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ZnO中光生电子的迁移速率与光生空穴迁移速率有差异吗?
ZnO中光生电子的迁移速率与光生空穴迁移速率有差异吗?如果有差异,那是哪个快?
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2012-03-17 13:58:22
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zhywind200
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3楼
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Originally posted by
bihan
at 2012-03-17 21:40:27
有没有相关的参考文献或者书籍呢?我也觉得应该是不一样的,但没找到依据。...
楼主研究明白了吗?今天学习了一下半导体物理,理解的不全面。就刚学习的肤浅思考,我有个想法,不知道对不对。
电子的速度在±1/2k的地方最大,而在0-±1/2k范围内逐渐增加,而在±1/2k-k的范围内逐渐降低。而空穴多出现在价带顶,即空穴位置更多的在0-±1/2k的范围内处于较小的运动状态范围内。而空穴的速度等于该状态上电子的速度,但方向相反。所以这个速度应该处于近波谷的地方,所以平均下来应该慢于电子。
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11楼
2018-05-15 10:26:55
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huxilun
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bihan(金币+1): 谢谢参与
qiqiqiqi: 回帖置顶
2012-03-18 12:03:13
空穴跟电子是两回事,两者的速率应该是不一样的,因为两者的扩散系数不同。空穴的扩散系数一般比电子的小
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2楼
2012-03-17 20:43:25
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bihan
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2楼
:
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huxilun
at 2012-03-17 20:43:25:
空穴跟电子是两回事,两者的速率应该是不一样的,因为两者的扩散系数不同。空穴的扩散系数一般比电子的小
有没有相关的参考文献或者书籍呢?我也觉得应该是不一样的,但没找到依据。
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3楼
2012-03-17 21:40:27
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3楼
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Originally posted by
bihan
at 2012-03-17 21:40:27:
有没有相关的参考文献或者书籍呢?我也觉得应该是不一样的,但没找到依据。
我以前从文献上粗略的看到过涉及这方面的,但是都好长时间了,发个求助贴等待高手解答吧,呵呵
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4楼
2012-03-17 23:29:15
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