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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 金属 » 设备仪器 » 求助：反应磁控溅射制备氮化铬薄膜，靶电源用DC还是RF好呢？
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eagle321

银虫 (正式写手)

[求助] 求助：反应磁控溅射制备氮化铬薄膜，靶电源用DC还是RF好呢？已有1人参与

请教各位前辈：反应磁控溅射制备氮化铬薄膜，靶电源用DC还是RF好呢？如何避免铬靶中毒，同靶电源的选择有关吗？谢谢
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1楼2012-02-16 22:07:19
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liaofang20

银虫 (小有名气)
引用回帖:
7楼: Originally posted by hyss1992 at 2013-11-13 20:37:53
我觉得做好冷却就行，我用射频做氮化铝300W溅射没啥问题，靶材表面一段时间有氧化的现象，打磨掉就好了。

虫友，你的氮化铝做多厚？
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9楼2014-04-17 11:41:00
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祖师爷猛猪

新虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
zhyq8767(金币+1): 感谢交流 2012-02-20 20:55:00
eagle321(金币+2): ★有帮助 谢谢 受教了 2012-02-22 11:00:11
磁控溅射沉积绝缘膜的可用射频电源减小或者防止出现靶中毒的概率吧。

解决靶中毒的问题要视情况而定，就选择电源来说，采用中频电源、A2K电源来减少靶中毒的发生吧。

一点愚见，新人求金币，
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2楼2012-02-20 20:36:20
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robin_xmu

金虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
eagle321(金币+2): ★★★很有帮助 感谢您的 建议 2012-02-22 11:00:57
N2流量控制小点就不会靶中毒了，跟电源无关吧。RF沉积慢些。
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3楼2012-02-20 22:51:47
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祖师爷猛猪

新虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

毛猴(金币+1): 感谢交流！ 2012-02-22 21:04:07
楼上正解，用RF的话，只有减小进气流量，防止靶面形成化合物膜后，使得离子轰击产生大量二次电子增加空间导通能力，靶电压突然降低，靶电流增大，溅射无法进行下去。
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4楼2012-02-22 21:01:16
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