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tjcdp
荣誉版主 (知名作家)
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【答案】应助回帖
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book2005593(金币+10, 基金HEPI+1): 感谢应助，祝新春快乐，龙年大吉！ 2012-01-23 10:17:22
book2005593(金币+10, 基金HEPI+1): 感谢应助，祝新春快乐，龙年大吉！ 2012-01-23 10:17:22
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AlN半导体中的极化场及其对光学性质的影响研究 负责人：陈光德 参与人：陈光德, 江红星, 邱复生, 耶红刚, 伍叶龙, 徐文武, 宋佳明, 马超 金额：39万 申请时间：2010 学科代码：光学材料中物理问题及固体发光(A040410) 项目批准号：11074200 申请单位：西安交通大学 研究类型：应用基础研究 关键词：AlN；极化场；缺陷；异质结构；光学性质 摘要： 强极化场效应是III族氮化物半导体中普遍存在的一个重要现象，在AlN中表现更为突出。因此弄清楚AlN中极化场及其相关效应是AlN半导体材料与器件加快应用进程的关键问题之一。本项目将主要研究AlN外延膜中常见的扩展型位错缺陷和AlGaN/AlN,GaN/AlN等异质结构对AlN中极化场的影响；以及极化场对AlN光学性质，特别是对发光效率的影响；进一步探索通过缺陷及异质结构设计来调控极化场以提高AlN光学器件性能的可行性方案。研究手段采用实验测量和理论模拟计算相结合的方式。本项目属于应用基础研究，项目的完成将实现对AlN乃至整个III族氮化物中的极化场问题一个清晰全面的认识，将给出调控和利用极化场的可能途径，对相关材料的生长与器件的设计具有重要的指导和参考作用。因此本项目的研究具有重要学术及应用价值。 |
2楼2012-01-22 10:16:51
3楼2012-01-24 23:34:08