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大部分金属氧化物及硫化物的能带位置（v，NHE）及出处
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- 附件 2 : 半导体禁带宽度和价带导带位置band_gap_汇总.pdf
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2012-01-09 08:34:02, 365.95 K
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321楼2016-01-19 20:40:29
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2012-01-09 12:29
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2012-01-09 12:30
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