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偶极矩分析
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请问：CASTEP怎么对材料进行偶极分析？ 在光化学反应中，往往需要分析材料的偶极距，因为偶极矩产生的内部电场有利于电荷空穴的分离，我知道CASTEP里面可以进行布局分析（population analysis），从而可以知道原子的价键，这为偶极的分析提供了一个物理量Q（电荷），但是另一个量——r（距离）怎么得到呢？晶体材料中键的取向多而复杂，不好对键进行合成分析，那么怎么进一步可以得到偶极距呢？或者除了通过布局分析，还可以有什么方法得到偶极矩？ |
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截止p=qr，都明白。但始终得不到文献值，困惑。再细问两个问题： 1、等效电荷中心，即把4个O等效成一个负电中心，4个X等效成另一负电中心，一个Bi就是一个正电中心，Right？ 【具体简单计算法：将BiO4X4单元放在以4个X为顶点的盒子里，则4个X可以等效到其所在面的中心，总贡献为0.5（1/8×4）；4个O由于在棱上，也可以等效到面心，总贡献为1（1/4×4）；Bi在体心，贡献为1。这样就简化为正上方一个O，中心一个Bi，正下方0.5个X的模型。事实上，即便是在一个单胞里，也可以取到一个O一个Bi和0.5个X的等效模型。最后将这些等效因子乘到电荷上去】 这样简化后我大约可以算出我的偶极矩的值，但用文献提供的数据却得不到文献的值。 2、矢量叠加法。取Bi为原点，分别算出每个Bi-O及每个Bi-Cl的偶极，得到8个p，矢量方向都取正电指向负电的方向，然后对这8个p求和。应该也是要考虑每个原子的贡献量的。 以上分析是否正确？ |
18楼2013-01-16 15:42:45
navyzhang
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3楼2012-01-10 19:51:31
sunboyccc
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uuv2010
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5楼2012-01-10 21:09:28