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haowenping

木虫 (著名写手)

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[求助] vasp计算的半导体结构，bands带隙比dos里面的大，何故？

各位大仙，本人在计算半导体结构的时候，为何bands里面的带隙比dos里面的大一些？感觉明显的对应不上。
在计算SCF的时候，ISMEAR=0，SIGMA=0.01，bands的时候，ISMEAR=0，SIGMA=0.01，DOS计算时候ISMEAR=0，SIGMA=0.01.计算结束，scf里面的费米能级是-2.1285，bands里面的费米能级是-2.2053，dos里面的费米能级是-2.1273。
计算scf的时候K点选取为：4x4x2，dos计算时候K点选取为12x12x2。
下面是对应不上的图片：
希望大家多多帮忙。

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人有多大胆，地有多大产！

1楼2011-11-22 10:34:49

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jinhua1983

金虫 (小有名气)

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【答案】应助回帖

★ ★ ★
haowenping(金币+3): 谢谢指教！ 2011-11-24 09:15:36
uuv2010(金币+1): 欢迎参加交流 2011-11-24 10:32:43
haowenping(金币+2): 非常感谢，才发现，你说的是把NEDOS加大，没认真看，以为只是让我加大NBANDS，谢谢！ 2011-11-24 10:38:00
fzx2008(金币+2): 谢谢指教 2011-11-24 16:32:19

LZ可以考虑一下在计算DOS的时候分辨率调大，即：NEDOS增大到1001试一下。

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18楼2011-11-24 09:08:56

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jinhua1983

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【答案】应助回帖

★ ★
haowenping(金币+5): 非常感谢！ 2011-11-25 08:18:16
fzx2008(金币+2): 谢谢指教 2011-11-25 08:26:56

引用回帖:

24楼: Originally posted by haowenping at 2011-11-24 10:48:15:
弱弱的问下，你设置NBANDS的时候是不是在bands和dos里面都要设置一样的大？而设置NEDOS=1001的时候是不是只是在dos计算里面设置？希望能得到好心的帮助，谢谢！

NEDOS值需在计算DOS的时候用到，在计算能带的时候是不需要这个参数的。

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26楼2011-11-25 08:15:38

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