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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » Vasp&MedeA » vasp计算的半导体结构，bands带隙比dos里面的大，何故？
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haowenping

木虫 (著名写手)

[求助] vasp计算的半导体结构，bands带隙比dos里面的大，何故？

各位大仙，本人在计算半导体结构的时候，为何bands里面的带隙比dos里面的大一些？感觉明显的对应不上。
在计算SCF的时候，ISMEAR=0，SIGMA=0.01，bands的时候，ISMEAR=0，SIGMA=0.01，DOS计算时候ISMEAR=0，SIGMA=0.01.计算结束，scf里面的费米能级是-2.1285，bands里面的费米能级是-2.2053，dos里面的费米能级是-2.1273。
计算scf的时候K点选取为：4x4x2，dos计算时候K点选取为12x12x2。
下面是对应不上的图片：
希望大家多多帮忙。
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人有多大胆，地有多大产！
1楼2011-11-22 10:34:49
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acridine

木虫 (正式写手)
★
uuv2010(金币+1): 欢迎参加交流 2011-11-24 10:32:31
能带图中K点两条最接近Ef的两条能带，好像能对应上DOS图中最接近Ef的两个小峰吧，那么两者还是比较一致的。绘制DOS图的时候把展宽调小一些，应该能更明显的看出峰位是否与能带对应。
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14楼2011-11-23 18:05:52
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acridine

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★
uuv2010(金币+1): 多谢提示 2011-11-24 18:28:14
引用回帖:
16楼: Originally posted by haowenping at 2011-11-24 08:47:48:
非常感谢热心的帮助，我觉得如果用ISMEAR=0，SIGMA=0.01的话，这个展宽已经很小了吧！

我对VASP不熟，不过一般这里涉及两个smearing相关的参数，一个是计算电子结构的时候电子占据的展宽，可能会影响到scf的收敛性有关；另一个是绘制dos图的时候把DOS的峰展宽，它和scf的过程完全无关，只是用来调整绘制出DOS图的连续性。我建议的是调低后者，使你的DOS峰更分立，进而看出各个峰与能带能否对应上。只不过我不知道在VASP中具体的参数是哪个。
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25楼2011-11-24 17:09:03
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