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majieyuan

金虫 (小有名气)

第一个问题:
     ITO Alloy的主要作用是与p-GaN形成良好的Ohmic contact,达到降低ITO 透明导电层与p-GaN的接触电阻,从而降低整个device的VF。通常这个是考虑与EPI p层表面状况与ITO状况匹配和整合相关的。
第二个问题:
     我有做这反面的实验:不做ITO Alloy,chip的 VF2会飚高,大概高出0.5V,原因就是两层的Ohmic contact不佳;Alloy两次也会出现VF2偏高的问题,初步怀疑是p-GaN和ITO中的doping有扩散引起。
    以上拙见,期望对您有帮助。
11楼2012-05-16 10:57:48
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liulijun123

木虫 (小有名气)

送鲜花一朵
  主要是使电流均匀分布
12楼2012-06-28 22:03:41
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dxf930

金虫 (正式写手)

镀上ITO以后,还需要一个结晶过程,这时需要加热结晶。结晶后可以降低ITO膜的电阻。
收获的日子早一天也是不行的!等待...追求...
13楼2012-07-03 12:08:17
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yjigewxf123

捐助贵宾 (知名作家)

本帖内容被屏蔽

14楼2012-08-14 09:16:23
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cqx1225

金虫 (小有名气)

7楼正解!
没有压力,没有竞争,只能让你从堕落走向更堕落!!
15楼2013-05-24 12:40:48
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feixiangmars

铜虫 (初入文坛)

电流扩展,可以提升ESD水平,降低电压,提升发光均匀性,当然ITO质量不好可能会影响亮度、电压等性能
Noting is impossible for the willing mind.
16楼2013-06-30 20:44:11
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feixiangmars

铜虫 (初入文坛)

ITO需要退火是一般使用EBEAM沉积的ITO质量偏头式 ,吸光很大,如果不退火会严重吸光,影响芯片亮度;另外,ITO退火可以ITO和P型层更好地融合,形成欧姆接触,降低结电阻,从而降低芯片电压。
Noting is impossible for the willing mind.
17楼2013-06-30 20:46:25
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sophia81016

新虫 (初入文坛)

学习了~~~
18楼2013-10-20 16:33:49
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sophia81016

新虫 (初入文坛)

作电极使用的,是透明的
19楼2013-12-06 16:36:40
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jlthl

新虫 (初入文坛)

路过,学习
20楼2014-04-01 20:08:19
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