| 查看: 4112 | 回复: 8 | ||||||||||
| 当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖 | ||||||||||
Illusionist银虫 (正式写手)
|
[求助]
缺陷D在q电子态下的形成能的计算
|
|||||||||
|
PRL Origins of Coexistence of Conductivity and Transparency in SnO2 文章说道 缺陷D在q电子态下的形成能的计算 u0和uSn是氧和锡的化学势，该怎么计算。 计算E（O2）不要用O原子的能量修正一下么，但是修正后岂不是得到结合能了。 O -1.828417eV O2 -9.861268eV 这么算结合能的话是6.204434，比实验值（5.2左右）大很多啊····· 求高手。 公式如图  [ Last edited by Illusionist on 2011-11-3 at 17:47 ] |
回复此楼» 收录本帖的淘帖专辑推荐
 带电掺杂体系形成能 | vasp计算资料 | 零点能 | 第一性原理和电化学 |
| first principle | 杂七杂八 | good resources | 缺陷计算 |
» 猜你喜欢
梦想
已经有8人回复
-
有多少人是今天查系统知道结果的？
已经有19人回复
-
面上合作单位盖章
已经有9人回复
-
面上函评意见出来了，像什么等级？
已经有17人回复
-
为什么国自然不能直接公布
已经有5人回复
-
学科评审组评审是指会评吗？
已经有4人回复
-
为什么资助数各大高校都创新高，自己申请怎么就这么难
已经有14人回复
-
小白求助 投论文要求的highlights应该如何写
已经有4人回复
-
麻烦专家们看看评委们的意见（F口面上）
已经有12人回复
-
怎么看青基中了没有啊
已经有6人回复
» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:
- MS关于化学势和形成能的计算
已经有23人回复
- 形成能如何计算
已经有9人回复
- 化学势和生成吉布斯自由能间的关系？
已经有12人回复
- ZnO本征缺陷对应缺陷态能级位置
已经有3人回复
- 结合能 与形成能的计算所需的数据选择
已经有5人回复
- 原子结合能是怎么产生的
已经有3人回复
- 求助晶格缺陷形成能
已经有13人回复
- 如何判断电子态
已经有9人回复
- 电子构型如何写
已经有12人回复
- 怎么算化合物的电负性？即获得导带底，价带顶的精确能量？
已经有7人回复
- 如何求元素的化学势
已经有6人回复
- VASP计算缺陷形成能是否还要对帯隙进行修正？
已经有5人回复
- 缺陷结合能和形成能
已经有30人回复
- 缺陷形成能计算
已经有11人回复
- vasp5.2计算误差太大
已经有11人回复
- 富氧情况下的形成能如何计算？
已经有15人回复
- 结合能和形成能
已经有8人回复
- 【求助】化学势的计算相关
已经有13人回复
- 【求助】半导体中费米能级的含义
已经有7人回复
- 【求助】化学势和自由能的理解
已经有5人回复
- 【求助】如何确定缺陷态有几个电子在带隙中
已经有5人回复
- 【其他】缺陷形成能与电中性要求
已经有12人回复
- 【求助】关于CBM VBM和费米能级
已经有12人回复
4楼2011-11-05 06:30:17
tider
木虫 (正式写手)
- 应助: 8 (幼儿园)
- 金币: 1950.4
- 散金: 40
- 红花: 5
- 帖子: 313
- 在线: 87.2小时
- 虫号: 1190614
- 注册: 2011-01-16
- 性别: GG
- 专业: 凝聚态物性 II ：电子结构
【答案】应助回帖
★ ★
fzx2008(金币+2): 谢谢交流！ 2011-11-04 19:01:20
Illusionist(金币+5): 谢谢 2011-11-05 08:16:52
fzx2008(金币+2): 谢谢交流！ 2011-11-04 19:01:20
Illusionist(金币+5): 谢谢 2011-11-05 08:16:52
|
我最近也正想研究ZnO的本征缺陷，所以看了看相关文献，不过我不是高手，我们一起讨论一下吧。 1.化学势就是吉布斯自由能，它表征元素能否稳定存在。因此体系中缺陷（如O）的化学势就要和体系所处环境中该O的化学势相同，但是环境中O的浓度是不定的，对应不定的化学势，这就意味着体系中的化学势也是一个变量。 2.这个变量必然会有一个范围。它的上限就是环境中全部都是O，即富氧条件，而下限则是全部都是Zn（以ZnO为例），即富Zn条件。同时满足u（Zn）+u（O）>u(ZnO)，这样体系才能稳定存在。 3.E（O2）为什么要修正呢？用它减去单原子能量就是结合能了。我也算过，得到的是5.71eV，也有差别，可能跟选取的赝势不同吧。不过据说DFT计算结合能精度不是太高。这与它的slowly varying density假设有关？？ 4.有一个地方我也不太明白，还想请教，为什么Ef也是变量？变化范围是VBM到CBM。是因为这之间是空带，都没有电子可填充？ |
2楼2011-11-04 18:33:09
stractor
金虫 (著名写手)
- 1ST强帖: 6
- 应助: 91 (初中生)
- 金币: 1487.6
- 散金: 666
- 红花: 30
- 沙发: 1
- 帖子: 2224
- 在线: 426.8小时
- 虫号: 394087
- 注册: 2007-06-06
- 专业: 半导体材料
【答案】应助回帖
★
Illusionist(金币+5): 2011-11-05 08:17:28
uuv2010(金币+1): 多谢提示! 2011-11-05 11:36:52
Illusionist(金币+5): 2011-11-05 08:17:28
uuv2010(金币+1): 多谢提示! 2011-11-05 11:36:52
|
“有一个地方我也不太明白，还想请教，为什么Ef也是变量？变化范围是VBM到CBM。是因为这之间是空带，都没有电子可填充？” 可以这样理解： 对于某带电缺陷，它要得到或去电子，或者说需要将电子在两个“环境”中进行交换。其中一个环境就是晶格本身，另一个环境就是带隙之中的某一位置。例如ZnO中正一价O空位，就是移走中性O原子和一个多余电子。这个多余电子会跑到哪里去呢？两个极端就是要么跑到导带底和价带顶。它可以处于这个两个极端情形的任何位置。所以缺陷形成能公式中费米能级是变量。 此外，对于缺陷情形，会产生缺陷态，大多缺陷态是在带隙之中的，这些缺陷态可能被电子占据。这你可以看半导体物理教科书。所以对于缺陷半导体，带隙之间电子是有机会填充的。 |
3楼2011-11-05 04:24:42
Illusionist
银虫 (正式写手)
- 1ST强帖: 1
- 应助: 20 (小学生)
- 金币: 232.8
- 散金: 1001
- 红花: 15
- 帖子: 431
- 在线: 329.1小时
- 虫号: 1123329
- 注册: 2010-10-15
- 专业: 半导体晶体与薄膜材料
5楼2011-11-05 08:26:12
5