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cenwanglai荣誉版主 (知名作家)
老和山猥琐派九段
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能带结构对光生电子-空位复合速率有什么影响(TiO2, science，2011)？
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附件是一篇今年的science文章。讲加压加氢改变TiO2表层一纳米深度范围内的晶格结构，以此来引入两个局域化的带隙态，见下图。 贴出的文字是这篇文章的最后一段，注意最后一句话，我的理解是：带隙态的局域化降低光生电子复合速率，并且可能是加氢后TiO2的可见光响应强于块体TiO2的紫外可见光响应的原因。 光催化领域的一个目标，是降低半导体带隙，提高可见光相应；同时降低光生电子-空穴复合速率。我有以下问题希望路过虫友给予指导： （1）电子-空穴复合速率如何定性或者定量确定？ （2）通过半导体结构控制（引入杂质或者外力促使结构扭曲），“调节”能带结构，是否可以降低光生电子复合速率？ （3）带隙间引入局域程度高的间隙态，与引入局域程度低的间隙态相比，前者光生电子-空穴复合速率是否低于后者？ （4）光生电子和空位的形成是否能在能带或者态密度图中找到迹象？   下载文章的虫子记得来回答我的问题啊！[ Last edited by cenwanglai on 2011-8-23 at 13:22 ] |
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cenwanglai(金币+5): 谢谢回复！ 2011-08-23 12:37:06
nono2009(金币+1, 物理EPI+1): 版主辛苦 2011-09-07 12:58:22
cenwanglai(金币+5): 谢谢回复！ 2011-08-23 12:37:06
nono2009(金币+1, 物理EPI+1): 版主辛苦 2011-09-07 12:58:22
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1）电子-空穴复合速率如何定性或者定量确定？ 电子-空穴复合率指的是单位时间内电子空穴数目的消亡率。用K来表示。 （2）通过半导体结构控制（引入杂质或者外力促使结构扭曲），“调节”能带结构，是否可以降低光生电子复合速率？ 能带结构的改变当然影响电子空穴的复合率。包括杂质的掺杂都会影响复合率。 （3）带隙间引入局域程度高的间隙态，与引入局域程度低的间隙态相比，前者光生电子-空穴复合速率是否低于后者？ 当然 （4）光生电子和空位的形成是否能在能带或者态密度图中找到迹象？ 态密度可以用来衡量电子空穴量的大小，自然复合前后态密度的变化可以表征复合程度的大小。 |
2楼2011-08-23 11:58:15
cenwanglai
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