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li2wei3dong

铁杆木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

ZGmse(金币+20): 非常感谢!是的,我镀了Au,结果却生出了薄膜而不是纳米线,不知道什么原因。对于你说的第二个能再详细说一下吗?升温快慢具体对直径什么影响?合成温度我知道很重要,但是保温时间对产物具体有什么影响呢?还有就是在没有压力控制器的情况下用机械泵,压力会很低,有些材料对压力很敏感的呀。多谢!我会继续追加金币的。O(∩_∩)O~ 2011-08-07 15:54:16
1,Au不能作为催化剂吗?
2,温度提升速度,可能会对直径产生一定影响,但是对于最终的产物没有什么特别的影响,关键是最终的合成温度,保温时间
3,个人认为你做XRD物相不符,除了说是测试时候操作问题以外,我觉的跟你在常温下CVD有关,你都没有抽真空啊,在空气环境下反应,空气下各种元素很多,很受影响!最好用泵抽真空,在真空环境下反应,可以多抽会,机械泵,半个小时就足够了,保护气很重要,一般用氩气,通完保护气再抽下真空,然后升温反应!
4,碳化硅纳米线被氧化很正常,比较难控制,就算在真空环境下也会包覆一层氧化物,通常二氧化硅,不知道你用着碳化硅做什么,如果没什么必要的话,也不一定非得去除包覆层,当然了,可以用氢氟酸清洗
希望对你有所帮助
一步步的创造
11楼2011-08-07 10:31:32
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li2wei3dong

铁杆木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

ZGmse(金币+15): 好的,谢谢啦!不过我不做碳化硅的啊,你可能看错我的帖子了哦。O(∩_∩)O~ 2011-08-09 00:20:48
我确定了下,升温速度对产物没什么影响。保温时间是很重要的啊,对于碳化硅的直径,长度,致密度,都有影响,具体的优化工艺得需要你自己做实验来寻找最优化的实验参数,这个我们课题组以前做过!
另外我想请问下,你们用CVD 法合成碳化硅不抽真空吗?用的是什么设备?什么做硅源?碳源?
一步步的创造
12楼2011-08-08 13:09:34
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43063320

木虫 (著名写手)


引用回帖:
912981楼: Originally posted by kissyliu at 2011-08-03 23:27:19
纳米线不太熟悉,薄膜比较熟!

升温对腔室内的真空度影响很大,存在杂志的可能性比较高,也就是说升温会造成严重氧化问题,这属于工艺控制的问题。

在抽真空时,不知道用的是什么泵? 机械泵,分子泵,罗茨泵 ...

X射线的探测深度一般是100um以上

这么强啊
从哪看的,给个资料呗
13楼2012-08-23 16:57:34
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