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[交流]
蓝宝石选C还是选A？
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在蓝宝石晶体中位错来源有二，填隙原子和杂质原子在力场中通过成核和增殖产生的，二是籽晶遗传的。同时位错线具有特殊的拓扑性质：它要么构成闭合的圈圈，要么延伸到晶体表面，绝不可能中断在晶体之中。 位错会沿滑移面延伸和产生滑移。这么说引晶生长时，生长方向（沿C轴或者A轴）与滑移面{0001}垂直效果最好，位错可延伸、滑移至晶体表面而消失；如果平行位错会一直在晶体内延伸遗传下去。这样说来可不可以理解为在位错密度方面沿C轴生长比沿A轴生长好？ |
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 蓝宝石应用 |
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7楼2011-12-06 08:37:52
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jy176308(金币+1): 谢谢参与
jy176308(金币+1): 谢谢参与
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在蓝宝石晶体中位错来源有二，填隙原子和杂质原子在力场中通过成核和增殖产生的，二是籽晶遗传的。同时位错线具有特殊的拓扑性质：它要么构成闭合的圈圈，要么延伸到晶体表面，绝不可能中断在晶体之中。六方晶系蓝宝石a1=a2=a3≠c；三根a轴在同一水平面上成120°角分步，c轴垂直于该平面（三根a轴的平面）。我们常常提起的A面、C面就是分别和a轴、c轴垂直的面。 这就意味着位错在沿C面垂直（C向生长）方向延伸时，所受的应力基本是平衡的，它会一直延伸到露出晶体的C面。如果是C向生长，由于杂质和应力的存在，随着生长界面的推移，不停的有位错线产生并累加，晶体的位错会越来越高，甚至发生多晶和散点。实验数据也证明了C向生长的晶体头部的EPD要低于尾部的EPD，既晶体头部的质量要高于尾部的晶体质量。 反之，如果沿A向生长，位错线在应力场得作用下，很快的发生滑移和弯曲，很快的在C向露头，虽然不停的有新位错线产生，但不停的有位错线在C向露头消亡。实验数据也证明了A向生长的晶体头部的EPD要高于尾部的EPD，既晶体尾部的质量要高于头部的晶体质量，同时A向生长的晶体的平均质量要远远高于C向生长的晶体。 这就意味着沿C生长蓝宝石晶体对原料纯度的要求要远远高于A向生长。 同时，A向生长蓝宝石晶体符合晶体生长方向选用原子最密面的原则。 |
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