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【急求助】Raman、PL对材料结构的分析
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我做的材料是CdSe:Ga NWs。下图分别是Raman和PL谱，其中黑色线标识的是纯的CdSe NWs，红、蓝、绿色线依次为由于温度升高而导致掺杂浓度增强的CdSe:Ga NWs。这其中，除了低温下合成出来的CdSe:Ga NWs为闪锌矿结构外，余下的三种纳米线均为铅锌矿结构。 现在的问题是，除了在PL谱中由于掺杂逐渐的增强而导致显著的峰移外。Raman及PL谱均未显示出针对纳米线结构变化而有的响应变化。我该怎么解释这一原因？ 此外，我当时做PL谱时缺滤波片，只扫了400到800一段，结果掺杂的CdSe:Ga的谱不完整，少了段尾巴。按说没滤波的话，800往后的一段该有个噪声吧，且CdSe的本征峰就在720纳米的位置，把800朝后的一段加上去对PL的分析也没实际意义。我该怎么说明啊？ 十分感谢！   |
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7楼2011-07-20 09:37:41
2楼2011-07-17 16:46:32
SCU_magiclee
铁杆木虫 (正式写手)
硅材料研发人员
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【答案】应助回帖
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nuaajsh(金币+2): 鼓励交流 2011-08-29 22:31:46
nuaajsh(金币+2): 鼓励交流 2011-08-29 22:31:46
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你没把问题说明白啊，你想得到什么“神奇”的变化吗？你的Raman和PL相互自洽啊，说明确实是掺杂进入晶格了。你自己也分析到了，Raman峰随温度变化而增强，PL也跟着移动，估计继续延长时间或者提高温度就会变成另一种相，PL也会更加红移。再配个XRD的数据，就很充分了。当然，如果能来个HRTEM，把Ga找到，或者是继续相变后，新相的另一套点阵，那就完全OK了。典型的CVD制备-掺杂-机理类文章啊，数据很全了，好好写写，发个materials letters吧。。。愚见 |
3楼2011-07-17 23:05:09
4楼2011-07-18 21:39:46