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lilygost
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1楼
2011-07-10 19:53:45
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ljason
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【答案】应助回帖
HfO2薄膜沉积于柔韧的Si83Ge17/Si 基质之上增强导电性能(电学性能)
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2楼
2011-07-10 20:01:37
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lilygost
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3楼
2011-07-10 20:14:24
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ljason
新虫
(文学泰斗)
引用回帖:
Originally posted by
lilygost
at 2011-07-10 20:14:24:
这个这个......
4楼
2011-07-10 20:20:56
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lilygost
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5楼
2011-07-10 20:21:14
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liubencai
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【答案】应助回帖
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sltmac(金币+1): 谢谢交流 2011-07-11 06:47:51
沉积在有压缩应力的 Si83Ge17/Si 基片上的HfO2 膜的增强电性能
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lilygost
坚持到底
6楼
2011-07-10 21:30:07
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wust67
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【答案】应助回帖
★
sltmac(金币+1): 谢谢交流 2011-07-11 06:48:03
Enhanced electrical properties of HfO2 films deposited on compressively strained Si83Ge17/Si substrate
Si83Ge17/Si压应变衬底沉积HfO2膜的电性能改善
此译如何?
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lilygost
7楼
2011-07-10 21:54:51
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wust67
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专业: 高分子合成化学
【答案】应助回帖
lilygost(金币+10, 翻译EPI+1): 谢谢,我也觉得“Si83Ge17/Si压应变衬底上HfO2沉积膜的电性能改善”不错,我再稍作修改为‘Si83Ge17/Si压应变衬底上HfO2栅介质暴膜的电性能改善”,哈哈, 2011-07-11 09:30:25
沉积于Si83Ge17/Si压应变衬底的HfO2膜的电性能改善
Si83Ge17/Si压应变衬底上HfO2沉积膜的电性能改善
Si83Ge17/Si压应变衬底沉积HfO2膜的电性能改善
以上三种译法供参考,愚推荐第二种译法。
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8楼
2011-07-10 22:03:24
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8814402
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【答案】应助回帖
Enhanced electrical properties of HfO2 films deposited on compressively strained Si83Ge17/Si substrate
Si83Ge17/Si压缩应力衬底改善其上沉积HfO2薄膜的电学性质
或
因Si83Ge17/Si压缩应力衬底而增强的沉积HfO2薄膜的电学性质
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lilygost
9楼
2011-07-11 08:42:21
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lilygost
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10楼
2011-07-11 09:31:14
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