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gtolv8688

铜虫 (小有名气)

[求助] 限制开壳层计算单电能出错

我用WB97XD方法计算H2和一个含Fe的金属有机多孔聚合物的吸附能。由于体系具有磁性,自旋多重度是3,在计算中发现在H2距离聚合物较近的时候,自旋污染比较严重(这个我也不知道为什么,但是从结果看,距离近的时候自旋污染很大,距离远到3A以外,自选污染一下子就减小到可以忽略的程度了),因此我只好换ROWB97XD算,计算都是正常结束的,但是发现算的吸附能明显不对,由近及远,吸附能时大时小,只有两个点看起来是合理的,剩下的六个点从趋势上看明显是错的,而这两个点的输入文件和那六个点的输入文件,除氢分子与聚合物之间的距离以外完全一样。请问版上的各位高人帮忙分析一下问题出在什么地方呢?用限制开壳计算需要注意哪些问题呢?谢谢!~
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gtolv8688

铜虫 (小有名气)

引用回帖:
Originally posted by fichte at 2011-05-16 20:51:25:
一般UHF比UKS的自旋污染更严重,这种情况多参考态特征比较严重,ROHF的结果同样可疑...如果换几种泛函都不能得到满意的结果可能只能用多参考态方法了。或者有一些专门的处理多参考体系的单参考态方法,比如spin ...

具体到gaussian,对于确定的泛函,自旋污染很严重,RO算能量又完全不对,有什么方式可以减小自旋污染对单电能计算的影响吗?网上有很多方法都不管用啊,请高手不吝赐教啊,谢谢!~
Livewithproblem!
9楼2011-05-16 21:16:02
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mchen10

金虫 (正式写手)

★ ★
zhou2009(金币+2): 2011-05-15 14:32:24
轨道排布很可能有误,特别是金属外层s和d
更痛苦的是梦没醒路已经不能走了
2楼2011-05-14 23:12:15
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gtolv8688

铜虫 (小有名气)

引用回帖:
Originally posted by mchen10 at 2011-05-14 23:12:15:
轨道排布很可能有误,特别是金属外层s和d

多谢大牛的回复啊!怎么看是否是轨道排布的问题呢?如果是您说的情况,要如何解决呢?我是高斯新手啊,结果从一开始就遇到n多问题啊
Livewithproblem!
3楼2011-05-15 00:43:19
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zhou2009

版主 (著名写手)

【答案】应助回帖

gtolv8688(金币+10): 利用浅显易懂的语言解释了复杂的问题,非常感谢! 2011-05-16 11:26:40
2楼专家说,轨道排布很可能有误,我也有同感。

因为使用限制开壳RO计算,是规定安排了所有双电子轨道之后,将单电子轨道放在最高层。这在含有孤对电子的体系时,并不总是对的。
在含有孤对电子的体系,成键的电子对(MO)自然会低于单电子轨道,但是孤对电子轨道(MO)却因为是非键电子,能级可能会高于单电子轨道。
故含有单电子、孤对电子的体系,不能简单地用限制开壳RO计算。

我在算HCl的电子密度差时,Cl由于有一个单电子,计算时可用ROHF或者HF方法。
用ROHF方法算,单电子能级(-0.19956)在两个孤对电子简并能级之上,比H的轨道能级(-0.49982)还高出很多。体现不了Cl的电负性比H大。由此得到的密度差也不合理。
用HF方法算,总能量比ROHF低,单电子能级(-0.57891)在两个孤对电子简并能级之下,也在H的轨道能级之下,这样才合理。

你算题“自旋污染比较严重”,不能走限制开壳RO的路,要另找方法。

[ Last edited by zhou2009 on 2011-5-16 at 09:32 ]
4楼2011-05-16 09:25:06
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