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ZGmse

木虫 (小有名气)

[求助] 化学气相沉积生长ZnO纳米线

都说CVD法生长ZnO纳米线很容易,但是我用ZnO粉和C粉做原料,用Si片(表面镀金膜)做衬底,却长不出来ZnO纳米线呢?我用杨培东那篇引用4000多的文章的tube-in-tube的方法,结果发现Si片上几乎没有什么沉积啊。用抽真空的方法长,效果也不好,

所以,有没有虫友有实践过的好方法,可以指教以下吗?多谢,多谢!
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zhoususheng

银虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖


xjajx(金币+1): 鼓励有价值回复 2011-05-13 18:44:13
ZGmse(金币+3): 我的操作就是将ZnO和C均匀混合,900℃加热,再将衬底依次放在低温区。 2011-05-14 21:07:52
楼主,能够详细描述一下吗?
我觉得没有生长可能是一下原因造成的:1、生长时间不够,2、生长的气压过大,3、载气速度过快,4、温度没有达到要求,5、在其他条件都满足的情况下,楼主看看蒸发源与衬底的距离是否满足,6、楼主的C和ZnO怎么放的?那个温度高?哪个温度低?
研究是一个成长的过程
10楼2011-05-13 17:15:15
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ally5829

木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖


xjajx(金币+1): 鼓励有价值回复 2011-05-11 15:57:29
ZGmse(金币+2): 多谢回复!敢问你曾经长过ZnO纳米线吗?用的什么方法呢? 2011-05-11 19:00:31
温度,压强,气流量,前躯体与Si距离又会影响最终结果,根据我的一点愚昧的实验经验,前躯体与Si距离影响还是比较大的
自信源于努力
2楼2011-05-11 12:01:34
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ZGmse

木虫 (小有名气)

晕啊!竟然ZnO纳米线都长不好!求助啊!到底是怎么回事呢?
3楼2011-05-11 19:01:41
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ZGmse

木虫 (小有名气)

引用回帖:
Originally posted by ally5829 at 2011-05-11 12:01:34:
温度,压强,气流量,前躯体与Si距离又会影响最终结果,根据我的一点愚昧的实验经验,前躯体与Si距离影响还是比较大的

要么长出来的纳米线特别丑,一点都不直,是什么原因呢?
4楼2011-05-11 19:03:32
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