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llqfree

新虫 (初入文坛)

[求助] 电化学沉积CdSe

电化学伏安法沉积CdSe，电压范围-0.45到-0.80V, 0.03V/s，20圈。在FTO和ITO沉积的CdSe膜都很不结实。做好了用去离子水一冲就冲掉了。
    尝试了很多次都一样的结果，在FTO-TiO2上沉积的CdSe也是很不牢固，去离子水一冲就掉了。
    不知道什么原因，纠结中，希望得到大家的指点。呵呵
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1楼 2011-05-05 17:15:27
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包嘟嘟

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
588691楼: Originally posted by llqfree at 2011-05-05 17:15:27:
电化学伏安法沉积CdSe，电压范围-0.45到-0.80V, 0.03V/s，20圈。在FTO和ITO沉积的CdSe膜都很不结实。做好了用去离子水一冲就冲掉了。
    尝试了很多次都一样的结果，在FTO-TiO2上沉积的CdSe也是很不牢固，去离子 ...

不知道楼主沉积CdSe的电解液是如何配制的，浓度多少，我也是再用CV法沉积CdSe，但是每次沉积出来的CdSe都是含Se量远大于含Cd量，而且XRD测出来根本检测不到CdSe的峰，不知道楼主有做过什么表征吗？
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6楼2012-04-22 15:23:26
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zhaohaixing

荣誉版主 (著名写手)

心静、静心

【答案】应助回帖

扫描速度降低一点，0.01V/s看看，这样的话结晶的晶核可能要小点。CdSe的典型沉积电流是0.1mA/cm2. 沉积温度要尽量的选择合适一点，常温下面部行的话，可以适当的在高的温度下进行，比如85度，或者65度，这些都做一些对比看看！根据电流密度，看看电压的范围应该是多少，我是小新！！！！！
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学会选择，懂得放弃，有信心不一定会赢，没信心一定会输
2楼2011-05-05 18:59:14
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nanohappyyou

金虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

上面这个回答非常好！

建议楼主多试试参数，电沉积做的纳米膜附着力还是不错的。
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3楼2011-05-08 14:56:36
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nanohappyyou

金虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

llqfree(金币+2): 2011-05-09 10:52:08
估计你是想在氧化态上面再沉积一层，
问题之一是，电沉积做的一般比较大，如果是想做量子点类型的电池，不如化学法。

仅仅是估计。
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4楼2011-05-08 14:59:01
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