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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » MS » 【求助】如何计算半导体带边？
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楼1970-01-01 08:00:00
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智能机器人

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yjchemwang

木虫 (小有名气)
★ ★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
fzx2008: 金币+1, 鼓励交流 2012-10-03 22:22:19
E(CB)=X-Ec-0.5Eg
E(VB)=E(CB)+Eg
这是估算公式 其中X is the absolute electronegativity of the atom semicon-
ductor, expressed as the geometric mean of the absolute electro-
negativity of the constituent atoms 也就是说是组分原子的几何平均电负性
Ec is the energy of free electrons of the hydrogen
scale (4.5 eV) 就是说Ec为定值4.5eV
Eg为带隙，可以从固体紫外中估算出来或者查出来，文献中AgBr的E(CB)=0eV E(VB)=2.6eV 我算了下就是X值为5.8 Ag的电负性值为1.93 Br为1.9 请问是怎么算出来的？
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10楼2012-10-03 21:22:36
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目光之城

木虫 (小有名气)

未完

ECB=X-Ee-0.5Eg式中ECB是导带带边的氧化还原电势，X是组成半导体体系各原子电负性的几何平均值，Ee是个常数，Eg采用的是经过“剪刀算符”修正的体系的带隙值。我想问的是根据什么公式可以求出X？！我做的是TiO2
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2楼2011-04-17 19:59:24
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mika

金虫 (正式写手)
目光之城(金币+1): 2011-04-18 08:25:12
引用回帖:
Originally posted by 目光之城 at 2011-04-17 19:59:24:
ECB=X-Ee-0.5Eg式中ECB是导带带边的氧化还原电势，X是组成半导体体系各原子电负性的几何平均值，Ee是个常数，Eg采用的是经过“剪刀算符”修正的体系的带隙值。我想问的是根据什么公式可以求出X？！我做的是TiO2

我不懂楼主的问题，不好意思。但是想问问剪刀算符是什么方法呢》之前我听人提过，但是没注意
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3楼2011-04-17 20:28:59
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yaodu

银虫 (小有名气)
目光之城(金币+1): 2011-04-18 08:25:23
同关注，剪刀算符问题，好像李明宪的教程里讲过，不过我给忘了
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4楼2011-04-17 22:34:46
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