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xmcxbjh

金虫 (小有名气)

[交流] 【求助】LPCVD制备多晶硅薄膜及表征中的问题! 已有2人参与

1.用LPCVD法制备多晶硅薄膜时,我用20PA;通了硅烷,一会后压强突然发生改变,我就把压强调回来;一会后压强又突然改变,我又把压强调回来;我的总的镀膜时间设定为0.5小时,但在这种情况下,20PA时镀膜的时间肯定不准确!
        有谁也出现过这种情况的啊?请高手指点!!

       2.在测方块电阻时,我用的直线型四探针,可是每次探针只要和样品一接触,电流就从0变成正数;如果忽略这个问题,输出电压经常会是负的,而且和电流大小没有关系!
       请高手指点啊!

    3.多晶硅和单晶硅的电阻率谁大谁小啊?
     4.大家测方块电阻都是怎么测啊?能简单说下步骤么?

   上述问题请高手作答,我会自己手工发放金币!
   
   泣谢!
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活到死,学到死!
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lijunjie84

版主 (职业作家)

隐者

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小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
你可以去新能源版块下的电池子版块发你的问题,那里做晶硅薄膜太阳能电池的较多,这里面多是做新化合物单晶的。
2楼2011-04-07 23:54:56
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xmcxbjh

金虫 (小有名气)

谢!!!!!!!!!!!!
3楼2011-04-08 12:20:01
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