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【求助】求问纳米粒子价带顶(VBM)对荧光的影响
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shenran840720
金虫
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[交流]
【求助】求问纳米粒子价带顶(VBM)对荧光的影响
如题,求高人予以讲解,最好附有文献,文献多多益善。金币奉上。
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2011-03-31 15:00:25
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shenran840720(金币+4): 多谢兄弟你了。金币请笑纳。 2011-03-31 22:28:13
xjajx(金币+1): 鼓励交流 2011-04-10 19:39:27
http://en.wikipedia.org/wiki/Direct_and_indirect_band_gaps
看看这个解释,说的很清楚,是荧光量子产率。因为间接带隙半导体很多复合都不是辐射复合,所以荧光效率低
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4楼
2011-03-31 16:52:55
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shenran840720(金币+5): 多谢!再问一下,能否给出几篇VBM值变化影响FL强度的英文文献? 2011-03-31 16:08:26
xjajx(金币+1): 鼓励交流 2011-04-10 19:39:16
激发光被吸收把电子激发到导带,价带产生空穴。电子和空穴发生复合发出荧光。电子优先占据导带底,而空穴占据价带顶,如果导带底和价带顶不在一个k空间,复合必然产生动量,荧光效率变低,称间接带系半导体,反之称直接带系。看看物理书吧
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2楼
2011-03-31 15:21:15
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shenran840720(金币+1): 你指的荧光效率是指荧光量子产率吗? 2011-03-31 16:32:08
额。。。强度不是受这个影响的,这个只影响荧光效率。。。。我没有文献啊,只上课听老师说的
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3楼
2011-03-31 16:12:54
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