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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 性能应用 » 【求助】求问纳米粒子价带顶（VBM）对荧光的影响
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shenran840720

金虫 (初入文坛)

[交流] 【求助】求问纳米粒子价带顶（VBM）对荧光的影响

如题，求高人予以讲解，最好附有文献，文献多多益善。金币奉上。
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1楼 2011-03-31 15:00:25
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鹰羽龙

木虫 (著名写手)
★
shenran840720(金币+4): 多谢兄弟你了。金币请笑纳。 2011-03-31 22:28:13
xjajx(金币+1): 鼓励交流 2011-04-10 19:39:27
http://en.wikipedia.org/wiki/Direct_and_indirect_band_gaps看看这个解释，说的很清楚，是荧光量子产率。因为间接带隙半导体很多复合都不是辐射复合，所以荧光效率低
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4楼2011-03-31 16:52:55
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鹰羽龙

木虫 (著名写手)
★
shenran840720(金币+5): 多谢！再问一下，能否给出几篇VBM值变化影响FL强度的英文文献？ 2011-03-31 16:08:26
xjajx(金币+1): 鼓励交流 2011-04-10 19:39:16
激发光被吸收把电子激发到导带，价带产生空穴。电子和空穴发生复合发出荧光。电子优先占据导带底，而空穴占据价带顶，如果导带底和价带顶不在一个k空间，复合必然产生动量，荧光效率变低，称间接带系半导体，反之称直接带系。看看物理书吧
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2楼2011-03-31 15:21:15
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鹰羽龙

木虫 (著名写手)
shenran840720(金币+1): 你指的荧光效率是指荧光量子产率吗？ 2011-03-31 16:32:08
额。。。强度不是受这个影响的，这个只影响荧光效率。。。。我没有文献啊，只上课听老师说的
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3楼2011-03-31 16:12:54
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