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[交流]
【求助】关于激发态优化及发射光谱的计算
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有3个问题想问下各位虫友。 1、用gaussian计算激发态的时候nstates和root都是默认的，后来我优化激发态构型，然后再次做TD计算发射光谱也都是默认的态，实际上我想要观察的是Excited State 3的变化，请问有没有指定Excited State3得出的结果会不一样吗？比如优化激发态构型得到的稳定构型会不一样吗？ 2、我主要是想计算发射光谱。见论坛有人提到，在对激发态构型进行优化时，第一个循环给出的激发能就是吸收谱，最后一步给出的激发能就是荧光谱。我想问下这里说的吸收谱是指紫外吸收光谱吗？荧光谱是指荧光吸收谱吗？ 3、我开始计算物质A，能正常结束。 计算A与B的复合物的时候（物质A是笼型的，然后物质B是个小分子，进到笼内被吸附），结构优化正常，无虚频，但是计算激发态的时候报错了，重新调整了结构，优化了再计算激发态，还是收敛失败。 输入文件是： # opt td b3lyp/6-31g(d,p) geom=connectivity 报错信息是： >>>>>>>>>> Convergence criterion not met. SCF Done: E(RB3LYP) = -4648.00956095 A.U. after 129 cycles Convg = 0.1628D-05 -V/T = 2.0075 Convergence failure -- run terminated. Error termination via Lnk1e in /home/soft/g09/l502.exe at Sun Mar 27 13:08:44 2011. 是不是不能计算2个分子也就是复合物的激发态啊？ 希望各位高手能帮个忙~谢谢~ [ Last edited by ben_ladeng on 2011-3-31 at 06:00 ] |
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2楼2011-03-31 08:45:37
5楼2011-03-31 10:36:11
ar02hi3v(金币+1): 谢谢啊，是我理解能力差，呵呵~ 2011-03-31 20:29:23
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好吧，你说的这个不是我的思路，我现在对自己的表达能力表示强烈怀疑。我的思路是下面这样的： 1、优化基态构型，#P opt freq b3lyp/6-31g(d,p) geom=connectivity 2、TD单点，得到吸收谱(#P td(NStates=6) b3lyp/6-31g(d,p) geom=connectivity) 之所以要算这一步是为了要确定计算出来的哪个激发态是你需要优化的 3、以基态结构为初始结构用TD优化激发态结构，这个过程中将会计算很多步垂直激发能，其中第一步所给出的垂直激发态能将和上一步的TD单点给出的完全相同，即吸收谱，而最后一步给出的则是荧光谱。（#P Opt td(NStates=6,root=3) b3lyp/6-31g(d,p) geom=connectivity) [ Last edited by pwzhou on 2011-3-31 at 15:32 ] |
14楼2011-03-31 15:28:37
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关于第2个问题，这是原帖地址http://muchong.com/bbs/viewthread.php?tid=1872007 帖子的第3楼有说到，我没看明白：“第二步，激发态结构优化（以优化好的基态结构为初始构型），在激发态结构优化的第一个循环给出的激发能就是吸收谱，最后一步给出的激发能就是荧光谱。”这里指的是在激发态构型优化的输出文件里找的这两个吗？那么再次做TD后出来的激发态波长是什么谱？谢谢~ |
3楼2011-03-31 09:28:36
★ ★ ★
ar02hi3v(金币+5): 谢谢指教~ 2011-03-31 10:37:37
375642546(金币+3): 2011-04-08 16:55:56
ar02hi3v(金币+5): 谢谢指教~ 2011-03-31 10:37:37
375642546(金币+3): 2011-04-08 16:55:56
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这么讲可能会更清楚一点，在优化好的基态构型上做TD得到的是吸收谱，在优化好的激发态构型上做TD得到的是荧光谱。其实好好看分子光谱的书，这个还是很容易理解的。原帖中说的激发态结构优化（以优化好的基态结构为初始构型），这样你第一步实际上就是在基态构型上做的TD，所以是吸收谱；当结构优化完成后，最后的那个结构就是激发态的结构，在此结构上做的TD就是荧光谱。 如果你要优化的是第三激发态的结构，那就必须指定root=3，否则你得到的是第一激发态的结构。 你那个不收敛是SCF不收敛，增大循环次数就是了scf(maxcycle=500) |
4楼2011-03-31 10:00:35
6楼2011-03-31 11:23:44
7楼2011-03-31 11:30:17
ar02hi3v(金币+1): 感谢积极参与讨论~ 2011-03-31 14:00:15
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这个纯粹就是多此一举，画蛇添足的做法。 用TD优化完的结构当然就是激发态结构了，在这个结构上做的TD当然是荧光谱。在此基础上为什么还要对激发态进行CIS优化？要知道CIS和TD是优化激发态的两种不同方法，利用CIS和TD进行优化都可以得到激发态的结构，而且TD本身的计算结果要比CIS要好，为啥还要多此一举再优化一个CIS方法下的激发态结构？还非得在CIS优化好的激发态结构上再做TD？难道这个比在TD优化好的激发态结构上做TD得到的结果还要好？ 以前在G03的时候，TD没有解析梯度，无法有效的完成激发态的优化，所以通常的做法就是DFT优化基态结构，在基态结构上做TD得到吸收谱；然后用CIS优化激发态结构，最后在CIS优化的激发态结构上做TD得到荧光谱。但是在TD可以优化激发态结构的基础上，根本没必要再用CIS。 |
8楼2011-03-31 11:46:36
9楼2011-03-31 12:03:56
10楼2011-03-31 12:07:21
11楼2011-03-31 14:08:04
12楼2011-03-31 14:12:00
ar02hi3v(金币+5): 今天愚人节，全成版主啥的了，不过我的金币是真的哦，哈哈~ 2011-04-01 00:18:34
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TD激发态优化过程中每一步都要对所得到的结构进行垂直激发能的计算的，优化的最后一步不就是在激发态结构上做垂直激发能计算吗？为何还要再单独算一步（当然你可以再算一步，但是这一步的结果和优化最后一步的结果是完全一致的，你可以测试一下） 每个激发态对应的轨道跃迁、跃迁偶极距以及谐振强度都是不一样的，假如你计算得到的第一个或者前几个激发态的谐振强度都是0，也就说这些态是暗态，而对应的吸收谱的跃迁则是第二或者更高的激发态，那么这时候你就要根据计算结果和你所关注的问题来选择你要优化的是那个激发态了。 总之就是具体问题具体分析，有些基础概念一定要搞清楚，最重要的不是明白怎么算，而是要明白为什么要这么算？ [ Last edited by pwzhou on 2011-3-31 at 19:02 ] |
16楼2011-03-31 19:01:32
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我整理了一下你的思路，你看对不对。 1、优化基态构型，我用的# opt freq b3lyp/6-31g(d,p) geom=connectivity 2、做TD，得到吸收谱(我写的# opt td b3lyp/6-31g(d,p) geom=connectivity) 这里电脑应该是先进行opt，再进行TD的吧？现在想想，好像我这步的opt有点多余了。 3、优化激发态构型，# opt cis/6-31g(d,p) geom=connectivity cis=direct 这是以前算的，我用的是g09的，不知道你说的用TD-DTF的要怎么输入，麻烦给个具体的，还有就是细节方面有什么注意的吗？比如这一步的基组和下一步的基组要一致之类的。（要写上指定哪个态，这个我记住了）。 4、再次做TD得到发射谱，# b3lyp/6-31g(d,p) geom=connectivity td 问的有点啰嗦，希望大虾耐心赐教~ |
13楼2011-03-31 14:38:06
15楼2011-03-31 16:57:55
17楼2011-04-03 00:19:21
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28楼2012-05-12 09:37:30
29楼2012-07-05 16:53:55
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小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
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我想问一个问题，我算激发态优化时用的如下方法#p hf/6-31+g(d) cis(singlets,nstates=5) scrf(pcm,solvent=CH3CH2OCH2CH3 ) opt optcyc=300 maxdisk=20GB 出现了下面的结果 Root 1 : ******************** Change is ******************** Root 2 : ******************** Change is -177.750956439561200 Root 3 : ******************** Change is -109.476836921007000 Root 4 : ******************** Change is -6.854283804947429 Root 5 : ******************** Change is -58.866471450604870 这是怎么回事呢？请求你的帮助，我都算了一个多月了，还没出来，还不报错。 |
30楼2012-08-16 08:50:52
31楼2012-12-14 10:03:27
32楼2013-03-04 09:17:21
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